在这个信息科技高度发达的今天，AI的出现，使我们的生活质量达到了一个前所未有的高度， 作为重要载体的生活电器， 数码产品的功能也越来越强大， 越来越智能化，对供电续航需求也越来越高， 给它们提供源源不断的续航保障的”后勤部长”-----适配器，也来到了升级换代的时候。

　　作为适配器中最关键的元器件之一，主功率开关器件长期以来一直由硅材料技术所主导。然而，随着第三代宽禁带半导体代表之一氮化镓GaN的出现，这一传统技术正面临着GaN技术的挑战和替代。

　　氮化镓功率器件凭借低导通内阻，低结电容，无反向恢复，高频，高效等优势，已逐渐在各种电源方案渗透开来，能华半导体（以下简称：能华）作为国内产能最大的耗尽型氮化镓原厂，以完全自主的专利技术推出了一系列TO252高性价比的耗尽型氮化镓器件， 引领了氮化镓适配器的开端。

　　近日，充电头网接收到能华的3款氮化镓适配器的demo板，其中有36W的NH3612，60W的NH6012桌面款以及NH6012Q墙插款，相比传统SI MOS适配器方案存在散热器笨重、加工繁琐、成本增加的问题，能华推出的氮化镓方案由于效率提升，无需散热器，简化生产流程，降低人工成本，减轻适配器重量。接下来充电头网将对其拆解评测，看看这些适配器的内部做工、相关组件如何，同时对这些适配器的性能做一个相关评测。

　　以下为能华的3款氮化镓适配器参数一览图，其中NH3612 适配器的额定功率为36W，NH6012的桌面款和墙插款均支持60W。作为一款优秀的氮化镓适配器，其功率密度和转换效率尤为值得大家关注。

　　能华的3款氮化镓适配器采用了先进的GaN技术，相较于传统的硅材料，具有更高的开关频率和更低的导通损耗。这使得在同等功率下，能华的氮化镓适配器体积更小，功率密度更高，得益于氮化镓器件的赋能，产品的重量更轻，同时输出效率更高，输出效率均达到92~94%。这种体积小、重量轻的特性使得氮化镓适配器特别适合在居家或办公环境下使用，节省空间的同时带来更加高效、安全、可靠的充电体验，能够满足用户长时间使用的需求。

　　NH3612 适配器 demo 是基于能华公司的 CoreGaN 器件开发的一款输出功率 36W 的适配器 demo 板，拓扑方案采用低成本的 QR/CCM 反激电路。

　　核心开关器件是来自能华的 CoreGaN 氮化镓器件 CE65H600TOEI，耐压 650V，瞬态耐压800V，导阻为 600mΩ，较低的门极电荷，较低的动态导通电阻，开关速度快，损耗低，可以大大提高系统能效；另外其驱动电压范围±20V，大大提高了系统可靠性，可提供比传统硅（Si）器件更高的效率，具有显著的优势。这颗器件采用 TO-252 封装，成本低，热容大而且热阻小，这种封装可以拓展器件的功率应用范围，有很强的散热能力和耐热冲击能力，使系统具有更高的热可靠性。

　　主控芯片采用来自昂宝的 OB2710，这是一款自适应多模式PWM芯片，可根据负载的不同自动调整运行模式，在整个负载范围内实现高效的转换效率。该芯片具备低启动电流和低工作电流，并具有过温、过压、短路等保护机制，可通过专有的频率混频技术实现出色的EMI性能，开关频率为 89/65KHz，采用SOT23-6封装。

　　同步整流IC采用来自东科半导体的 DK5V85R15VP，该芯片内部集成85V功率NMOS管，可大幅降低二极管导通损耗，系统峰值效率可以达到 92.78%，待机损耗 75mW，采用SOP-8封装。

　　能华 36W 氮化镓适配器支持90Vac-264Vac的输入电压和36W（12V/3A）的输出功率，待机功耗低至75mW，转换效率高达92.5%以上。其内部采用了先进的氮化镓器件CE65H600TOEI，主控芯片采用性价比高和性能稳定的OB2710，同步整流芯片得益于QR方案的加持，可以采用低耐压(60V-85V)以及常用的SOP-8封装，降低系统成本。

　　该方案仅需1个T6的小共模电感和一个DR6*12的工字电感，就可以实现优秀的EMC余量表现和传导余量表现，压敏电阻方面采用了性能优秀的10D681K/P，使得系统可以通过差模4KV的严苛雷击测试。共同构成了这款高性能、高性价比的系统解决方案。

　　60W 适配器 demo 板是基于能华公司的 CoreGaN 器件开发的一款输出功率 60W demo 板，拓扑方案采用低成本的 QR 反激电路。

　　核心开关器件是来自能华的 CoreGaN 氮化镓器件 CE65H270TOEI，耐压 650V，瞬态耐压800V，导阻为 270mΩ，极低的门极电荷，开关速度快，损耗低，可以大大提高系统能效；另外其驱动电压范围+-20V，大大提高了系统可靠性，并且和传统的 Si MOSFET 驱动兼容；这颗器件采用 TO-252 封装，成本低，热容大而且热阻小，这种封装可以拓展器件的功率应用范围，有很强的散热能力和耐热冲击能力，使系统具有更高的热可靠性。

　　主控芯片采用昂宝的 OB2710，这是一款自适应多模式PWM芯片，可根据负载的不同自动调整运行模式，在整个负载范围内实现高效的转换效率。该芯片具备低启动电流和低工作电流，并具有过温、过压、短路等保护机制，可通过专有的频率混频技术实现出色的EMI性能，开关频率为 89/65KHz，采用SOT23-6封装。

　　同步整流芯片特写，采用来自必易微公司的KP4050，内部集成180V高耐压检测电路和高压供电电路，无需VDD辅助绕组供电，开通和关断延时小于30ns，系统峰值效率可以达到 93.60%以上，待机损耗 60mW，采用SOT23-6L封装。

　　同步整流MOS来自REASUNOS，型号RS100N85G，是一款低压MOS管，耐压100V，在典型导通状态下的漏极-源极电阻为5.8mΩ，采用PDFN 5x6封装。

　　核心开关器件是来自能华的 CoreGaN 氮化镓器件 CE65H270TOEI，耐压 650V，瞬态耐压800V，导阻为 270mΩ， 极低的门极电荷，开关速度快，损耗低，可以大大提高系统能效；另外其驱动电压范围+-20V，大大提高了系统可靠性，并且和传统的 Si MOSFET 驱动兼容；这颗器件采用 TO-252 封装，成本低，热容大而且热阻小，这种封装可以拓展器件的功率应用范围，有很强的散热能力和耐热冲击能力，使系统具有更高的热可靠性。

　　主控芯片是来自昂宝的 OB2710，这是一款自适应多模式PWM芯片，可根据负载的不同自动调整运行模式，在整个负载范围内实现高效的转换效率。该芯片具备低启动电流和低工作电流，并具有过温、过压、短路等保护机制，可通过专有的频率混频技术实现出色的EMI性能，开关频率为 89/65KH。