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160V半桥SOI半桥驱动器驱动100V MOSF-【MOSFET】|
的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为± LLC的MOS如何更换，之前使用国外品牌。目前采购不到，想替换国产，请问可以直接换同等规格的国产MOS吗？ 英飞凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新产品及其在中高压级联变频器和静止无功发生器中的仿真研究 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度 江南官方体育app 上一篇：常见电子元器件符号的含义 下一篇：能华推出3款氮化镓适配器再度完善 |
