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专门用来提高汽车应用性能,同时提高设计灵活性并降低成本,开关速度和开路输出电压均达到业内先进水平。 日前发布的光耦集成关断电路,典型关断时间为0.7ms,在SOP-4小型封装MOSFET驱动器中达到先进水平。此外,VOMDA127的导通时间为0.05ms,比接近的竞品快两倍,作为这一封装规格中的一款出色驱动器,其隔离电压和典型开路输出电压分别达到3750V和8.5V,适于各种MOSFET驱动应用。 器件通过AEC-Q102认证,适用于预充电电路、壁挂式充电器,以及电动(EV)和混合动力(HEV)汽车电池管理系统(BMS)。为产生驱动这些应用中IGBT和SiC MOSFET的较高电压,可以串联使用两个VOMDA1271光耦。此外,采用这款新型驱动器,设计师在开发下一代汽车时,可以用定制固态继电器取代传统机电式继电器。 光隔离式VOMDA1271采用AIGaAs红外LED(IRLED),其发射光被光伏栅阵列吸收,产生MOSFET导通电压。这种结构不需要外部供电电源,因此简化设计并降低成本。该器件可由微的GPIO引脚驱动,从而进一步提高设计灵活性。新型光耦符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。 江南官方体育app 上一篇:能华推出3款氮化镓适配器再度完善 下一篇:SIC MOSFET对驱动电路的 |