器将放电到稳压器的输出端：（放电电流取决于电容器的容值、稳压器的输出电压和 VIN 的下降速率）

　　在LM1117稳压器中，输出引脚和输入引脚之间的内部二极管可以承受10A 至20A 的微秒级浪涌电流，这是该稳压器的内部框图：

　　关于LDO线性稳压器并联二极管，网络上有一些解释原因的文章。但网络上太多不靠谱的文章，遇到问题还是先看芯片的datasheet数据手册，数据手册是最权威的。

　　遇到问题，比如发现LDO稳压器罕见地并联了二极管，应该先查看芯片的数据手册，看能否解答疑问。

　　有些LDO稳压器的数据手册没有写需要并联二极管，可能是它真的不需要，也可能是因为一般情况下不需要，于是没写，总之大家留个心眼。

　　是一个自耗很低的微型片上系统（SoC）。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的MOSFET，肖特基

　　保护的器件，允许输入比地电位低12V，不会吸收大的电流。图6. 反向电压保护。反向电流保护

　　是一款具有反向电压保护的器件，允许输入比地电位低12V，不会吸收大的电流。图6. 反向电压保护。反向电流保护

　　。有两个问题请前辈指点一下：1、用3mm的多用几个，还是少用几个5mm的效果好，也就是亮度高？2、多个

　　主要用于恒压源、辅助电源和基准电源电路中；而在数字电路中则常被用于电平转移；在过电压电路中用于保护作用。硅

　　的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时，可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时，可使用万用表电阻挡很准确地将

　　用途广泛，使用极多。看起来应用很简单，但如果不注意，也极易损坏。以下是选用时的几点注意事项： 可将多只

　　工作在反向击穿状态时，它的工作电流在很大范围内变化而其两端的电压基本不变。 它的原理图符号有如下图所示的两种： 标称稳定电压VZ（Nominal Zener Voltage）是

　　具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，

　　一样约为0.7v，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压的条件下会处于导通的状态，电压也不再升高，所以用在重要元器件上，起到

　　通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号

　　电源中作为基准电源，工作在反向击穿状态下，使用时注意正负极性的接法，管子正极与电源负极相连，管子负极与电源正极相连。选用

　　用途广泛，使用极多。看起来应用很简单，但如果不注意，也极易损坏。以下是星海一级代理商鑫环电子给大家分享的

　　特性；2.压敏电阻能承受更大的浪涌电流，而且其体积越大所能承受的浪涌电流越大，最大可达几十kA到上百kA；但压敏电阻的非

　　的替换问题，很多工程师和采购员都提出这种疑问。那么，这两者之间的替代需要满足什么条件呢？一、

　　管工艺基础上发展起来的新产品，是一种新型的高效电路保护器件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力；

　　的基础上发明的，是一种新型高效的电路保护器件，专门用于抑制暂态过电压，具有优越的过电压防浪涌保护作用。电路正常工作时，瞬态

　　值时,反向电流急剧增大。只要反向电流值不超过允许的最大电流，就可以正常工作，它的反向伏安特性曲线

　　...百度一下,说的都太深奥了...看不懂...百度知道,又太水了..还是这里比较专业...郁闷中..我有个

　　) A原理:它工作在电压反向击穿状态,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而

　　前都具有很高电阻的半导体器件，在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，

　　的使用区别：电子系统的应用当中，电压及电流的瞬态干扰会经常造成电子设备的损坏，瞬态干扰的显著特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大，所以破坏性很大。为了防止这种破坏

　　的文章。但网络上太多不靠谱的文章，遇到问题还是先看芯片的datasheet数据手册，数据手册是最权威的。