你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合体，IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。

　　与BJT或MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。

　　IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。

　　IGBT有三个端子（集电极、发射极和栅极）都附有金属层。然而，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。

　　IGBT结构是一个四层半导体器件。四层器件是通过组合PNP和NPN晶体管来实现的，它们构成了PNPN排列。

　　如上图所示，最靠近集电极区的层是 (p+) 衬底，即注入区；在它上面是 N 漂移区域，包括 N 层。注入区将大部分载流子（空穴电流）从 (p+) 注入 N- 层。

　　漂移区域的上面是主体区域，它由 (p) 基板组成，靠近发射极，在主体区域内部，有 (n+) 层。

　　注入区域和 N 漂移区域之间的连接点是 J2。类似地，N-区域 和 主体区域之间的结点是结点 J1。

　　注意：IGBT 的结构在拓扑上类似于“MOS”栅极的晶闸管。但是，晶闸管动作和功能是可抑制的，这意味着在 IGBT 的整个器件工作范围内只允许晶体管动作。IGBT 比晶闸管更可取，因为晶闸管等待过零的快速切换。

　　如果正输入电压通过栅极，发射极保持驱动电路开启。另一方面，如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负，则会关闭电路应用。

　　由于 IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管，因此它实现的放大量是其输出信号和控制输入信号之间的比率。

　　对于传统的 BJT，增益量与输出电流与输入电流的比率大致相同，我们将其称为 Beta 并表示为 β。

　　另一方面，对于 MOS管，没有输入电流，因为栅极端子是主通道承载电流的隔离。我们通过将输出电流变化除以输入电压变化来确定 IGBT 的增益。

　　如图所示，当集电极相对于发射极处于正电位时，N 沟道 IGBT 导通，而栅极相对于发射极也处于足够的正电位 (V GET )。这种情况导致在栅极正下方形成反型层，从而形成沟道，并且电流开始从集电极流向发射极。

　　IGBT 中的集电极电流 Ic 由两个分量 Ie和 Ih 组成。Ie 是由于注入的电子通过注入层、漂移层和最终形成的沟道从集电极流向发射极的电流。Ih 是通过 Q1 和体电阻 Rb从集电极流向发射极的空穴电流。因此尽管 Ih几乎可以忽略不计，因此 Ic ≈ Ie。

　　在 IGBT 中观察到一种特殊现象，称为 IGBT 的闩锁。这发生在集电极电流超过某个阈值（ICE）。在这种情况下，寄生晶闸管被锁定，栅极端子失去对集电极电流的控制，即使栅极电位降低到 VGET以下，IGBT 也无法关闭。

　　现在要关断 IGBT，我们需要典型的换流电路，例如晶闸管强制换流的情况。如果不尽快关闭设备，可能会损坏设备。

　　IGBT 仅在栅极端子上有电压供应时工作，它是栅极电压，即 VG。如上图所示，一旦存在栅极电压 ( VG ) ，栅极电流 ( IG ) 就会增加，然后它会增加栅极-发射极电压 ( VGE )。

　　因此，栅极-发射极电压增加了集电极电流 ( IC )。因此，集电极电流 ( IC ) 降低了集电极到发射极电压 ( VCE )。

　　IGBT的近似等效电路由 MOS 管和 PNP 晶体管(Q1 )组成,考虑到 n- 漂移区提供的电阻，电阻 Rd已包含在电路中，如下图所示：

　　观察上面显示 IGBT 的基本结构，可以看到到从集电极到发射极存在另一条路径，这条路径是集电极、p+、n- 、 p（n 通道）、n+ 和发射极。

　　因此，在 IGBT 结构中存在另一个晶体管 Q2作为 n – pn+，因此，我们需要在近似等效电路中加入这个晶体管 Q2以获得精确的等效电路。

　　众所周知，IGBT是 MOS 管的输入和 BJT 的输出的组合，它具有与N沟道MOS管和达林顿配置的PNP BJT等效的结构，因此也可以加入漂移区的电阻。

　　下图显示了 n 沟道 IGBT 的静态 VI 特性以及标有参数的电路图，该图与 BJT 的图相似，只是图中保持恒定的参数是 VGE，因为 IGBT 是电压件，而 BJT 是电流件。

　　当 IGBT 处于关闭模式时（VCE为正且 VGE VGET），反向电压被 J 2 阻断，当它被反向偏置时，即 VCE为负，J 1 阻断电压。

　　由于是单向器件， IGBT 只能在从集电极到发射极的正向切换电流。IGBT的典型开关电路如下所示，栅极电压 VG施加到栅极引脚以从电源电压 V+ 切换电机 (M)。电阻 Rs 大致用于限制通过电机的电流。

　　定义为集电极电流从漏电流 ICE上升到 0.1 IC（最终集电极电流）和集电极发射极电压从 VCE下降到 0.9VCE的时间。

　　定义为集电极电流从 0.1 IC上升到 IC以及集电极-发射极电压从 0.9V CE下降到 0.1 VCE的时间。

　　由三个部分组成，延迟时间 (t df )、初始下降时间 (t f1 ) 和最终下降时间 (t f2 )。

　　集电极电流从 0.9 I C下降到 0.2 I C并且集电极发射极电压上升到 0.1 V CE的时间。

　　下图可以理解IGBT的输入特性。开始，当没有电压施加到栅极引脚时，IGBT 处于关闭状态，没有电流流过集电极引脚。

　　当施加到栅极引脚的电压超过阈值电压时，IGBT 开始导通，集电极电流 I G开始在集电极和发射极端子之间流动。集电极电流相对于栅极电压增加，如下图所示。

　　IGBT 与双极功率晶体管相反，双极功率晶体管需要在基极区域有连续的基极电流流动以保持饱和。IGBT 是单向器件，这意味着它只能在“正向”（从集电极到发射极）开关。

　　IGBT 与具有双向电流切换过程的 MOS 管正好相反。MOS管正向可控，反向电压不受控制。

　　在动态条件下，当 IGBT 关闭时， 可能会经历闩锁电流，当连续导通状态驱动电流似乎超过临界值时，这就是闩锁电流。

　　此外，当栅极-发射极电压低于阈值电压时，会有少量漏电流流过 IGBT ，此时，集电极-发射极电压几乎等于电源电压，因此，四层器件 IGBT 工作在截止区。

　　第二阶段：当 VGE 增加时，如果它小于阈值电压，那么会有很小的漏电流流过 IGBT ，但I GBT 仍然处于截止区。

　　第三阶段：当 VGE增加到超过阈值电压时，IGBT 进入有源区，电流开始流过 IGBT 。如上图所示，电流将随着电压 VGE的增加而增加。

　　以上就是关于 IGBT（绝缘栅双极型晶体管)内部结构、工作原理、特性、优缺点等的内容，还有补充的可以在评论区交流哦！