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重复步骤(6)到步骤(8),为PMOS栅分配延长的多晶硅和通孔。之后在LCW层选择一层金属,按“r”键,绘制一个矩形,将PMOS和NMOS的栅极连接,如下图所示 首先进行NMOS衬底与地的连接,按“o”键,弹出“create Contact”对话框,在“Contact type”栏中选择“MI_SP”(表示选择P衬底到一层金属的通孔),在“Rows”栏中输入2,在”Columns“栏中输入340(表示纵向通孔数为2,横向通孔数目为340,横向长度以覆盖全部NMOS为准)。单击“hide”,移动光标将P衬底与NMOS源极相连。 江南官方体育app 上一篇:一种基于Logical Effo 下一篇:谈谈CMOS反相器的静态特性与动 |