现代电力电子系统中，栅极驱动光电耦合器扮演着至关重要的角色；其先进的技术能够有效隔离控制信号和功率信号，提升系统的稳定性和安全性，同时提高系统的效率和性能。其中，由工采网代理的ICPL-343是一款出

　　小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化！

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1

　　不管大家承认不承认，目前在先进工艺上，中国较国际领先水平还是有一定差距的，比如台积电、三星进入了3nm，而我们呢？明面上只有14nm，暗地里，就不清楚了。 同时从产能上，就算我们有7nm工艺，其产能也是非常少的，否则Mate60系列，如今都无法敞开供应，就是因为麒麟9000S产能不够啊

　　ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件体积减少99％

　　近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名

　　安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构

　　作者：安森美产品推广工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量

　　Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET），管脚尺寸缩小60％

　　RDS（on）额外降低40％，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用

　　英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET

　　【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推

　　Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET （ASFET），SOA性能翻倍

　　全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件