的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。

　　[t1-t2] 区间，MOSFET的DS电流Id增加，Vds仍然保持VDD，Vgs上升到米勒平台电压，Id电流也上升到负载电流最大值Id(max)，Vds电压开始从VDD下降。

　　[t2-t3] 区间，t2时刻，MOSFET工作在饱和区，Vgs保持不变， 此期间，Cgs不再消耗电荷，VDD开始给Cgd提供放电电流。

　　在米勒平台区，驱动电路仍然对栅极提供驱动电流、仍然对栅极电容充电，为什么栅极的电压不上升？下面将基于漏极导通特性分析MOSFET开通过程，解释米勒平台区，栅极电压不上升。

　　MOSFET的漏极导通特性如图4所示，MOSFET与三极管一样，当MOSFET应用于放大电路时，通常要使用此曲线研究其放大特性。只是三极管使用的基极电流、集电极电流和放大倍数，而MOSFET管使用栅极电压、漏极电流和跨导。根据功率MOSFET输出特征，工作区也可以分为三个区：关断区、线性区(恒流区)和可变电阻区。

　　当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时，Vgs的电压逐渐升高时，MOSFET的开通轨迹A-B-C-D见图5的路线：功率MOSFET的开通轨迹

　　动态恒流区（线性区）就是图中的A-B，也就是Vgs电压从Vth增加到米勒平台电压Vgs(pl)的区间，从这个过程可以非常直观的发现：MOSFET工作在恒流区，因为Vgs的电压在变化，这个过程是一个动态恒流的过程，也就是Vgs电压和Id电流自动找平衡的动态过程。Vgs电压的变化伴随着Id电流相应的变化，其变化关系就是MOSFET的跨导gfs：

　　在这个过程中，Vgs电压保持不变（A-B垂直横轴），Vgd的电压为Vgs-Vds，为负压，就是D的电压高于G。当Id电流达到负载的最大允许电流ID(max)时，也就是图3中的B点，MOSFET进入下一个工作区：米勒平台区。

　　这个电流足够大，可以将驱动电路能够提供的电流都抽取过去，驱动电路的电流几乎全部流过Crss（Cgd），以扫除Crss电容（米勒电容）存储的电荷，这样Cgs电容几乎没有电流流过，栅极电压也就基本维持不变，可以看到Vgs在一段时间B-C内维持一个平台电压，这就是米勒平台区。

　　在这个工作区，栅级对应的米勒平台电压，由系统的最大电流Id(max)和MOSFET的Vth、跨导来决定，满足上面的公式。

　　图5中C-D区为可变电阻区，此时Cgs、Cgd电压相等都为米勒平台电压，Vds电压不再变化，那么Cgd就不再有dv/dt产生的抽取电流，因此驱动电路又开始对Ciss充电，Vgs电压从米勒平台电压开始增加，直到达到驱动电压的最大值。这个过程中，MOSFET导通压降稍有降低，降低到最小值，基本上变化不大，导通压降为漏极电流Id和导通电阻Rds(on)的乘积，这也是完全导通区。