的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,

　　3、就其应用，根据其特点：MOSFET应用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机，逆变器变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域 。

　　开关电源 (Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。

　　虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。

　　过热和过流的区别 /

　　（绝缘栅双极晶体管）是一种半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降和高电流容量等特点。它结合了

　　介绍 /

　　及工作原理分析 /

　　是英文Isolated Gate BipolarTransistor的简称，中文称作绝缘栅双极型晶体管，是由BJT (双极型三极管) 和MOS (绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

　　和相关工艺 /

　　是变频器的核心部件，自然要分外关注。 在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。

　　和工作原理 /

　　功率模块的开关特性有哪些呢？ /

　　嵌入了DSP48E1，PCIE，GTX,XADC,高速IO口等单元，大大提升了FPGA的性能。

　　） /

　　如上图所示是光模块的几个核心部件。其中发射器和接收器合起来就是光收发器，最主要的是激光器，另外还有探测器和放大器，而IC Design就是MCU控制芯片，里面运行了驱动程序。

　　详解图 /

　　1开通关断时的电压电流波形如图1所示，Lσ代表整个换流回路（条纹区域内）所有的杂散电感之和（电容器，母排

　　图 /

　　的栅压控制晶体管（高输入阻抗），利用BJT的双载流子来达到大电流的目的（压控双极型器件）。那么

　　和拆解 /

　　鸿蒙ArkUI-X跨语言调用说明：【平台桥接开发指南（Android）BridgePlugin】

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