; (一)CMOS逻辑电路特点;; ;; ;①工作速度比TTL稍低。这是因为其导通电阻及输入电容均比TTL大。由于制造工艺不断改进，目前CMOS门的速度已非常接近TTL门。;;;; ;;; ②输入阻抗高，可达l08Ω。因为栅极绝缘，所以其输入阻抗只受输入端保护二极管的反向电流的限制。;;; ③扇出系数NO大。NO的定义是其输出端可连接的同类门的输入端数。由于CMOS门的输入端均是绝缘栅极，当它作负

　　;;; ②输入阻抗高，可达l08Ω。因为栅极绝缘，所以其输入阻抗只受输入端保护二极管的反向电流的限制。

　　;;; ③扇出系数NO大。NO的定义是其输出端可连接的同类门的输入端数。由于CMOS门的输入端均是绝缘栅极，当它作负载门时，几乎不向前级门吸取电流，因此在频率不太高时，前级门的扇出系数几乎不受限制。当频率升高时，NO有所减小。一般NO=50。

　　;;; ④静态功耗小。在静态时，总是负载管和驱动管之一导通，另一个截止，因而几乎不向电源吸取电流，故其静态功耗极小。当VDD=5V时，其静态功耗为2.5～5μW。

　　;;; ⑦输出高低电平摆幅大。因为UoH≈VDD，UoL≈0V，所以输出电平摆幅△Uo=UoH-UoL≈VDD。而TTL的摆幅只有3V左右。

　　;;; ⑨温度稳定性好。由于是互补对称结构，当环境温度变化时，其参数有补偿作用。另外MOS管靠多数载流子导电，受温度的影响不大。

　　;;; ⑩抗辐射能力强。MOS管靠多数载流子导电。射线辐射对多数载流子浓度影响不大。所以CMOS电路特别适用于航天、卫星及核能装置中。

　　;;; ⑥电路结构简单（CMOS与非门只有四个管子构成，而TTL与非门共有五个管子和五个电阻），工艺容易（做一个MOS管要比做一个电阻更容易，而且占芯片面积小），故成本低。

　　;;; ⑧拉电流IoL5mA，要比TTL门的IoL(可达20mA)小得多。CMOS逻辑门的参数定义与TTL门相同，但数值差别较大。CMOS各系列的主要参数如表11-10所示。;;;;;

　　;;;; ;4000B系列是4000系列的标准型。它采用了硅栅工艺和双缓冲输出结构，由美国无线电公司（RCA公司）最先开发。

　　;;; 74AC××系列是新型高速系列。74ACT××系列是新型高速并且与TTL兼容的系列。; ;(二)正确使用CMOS电路

　　;;; 虽然在CMOS电路的输入端已经设置了保护电路，但由于保护二极管和限流电阻的几何尺寸有限，它们所能承受的静电电压和脉冲功率均有一定的限度。

　　;;; CMOS集成电路在储存、运输、组装和调试过程中，难免会接触到某些带静电高压的物体。例如工作人员如果穿的是由容易产生静电的织物制成的衣裤，则这些服装摩擦时产生的静电电压有时可高达数千伏。假如将这个静电电压加到CMOS电路的输入端，将足以将

　　;;; ①在储存和运输CMOS器件时不要使用易产生静电高压的化工材料和化纤织物包装，最好采用金属屏蔽层作包装材料。

　　;;; ②组装、调试时，应使电烙铁和其他工具、仪表、工作台台面等良好接地。操作入员的服装和手套等应选用无静电的原料制作。

　　;;; 由于输入保护电路中的钳位二极管电流容量有限，一般为1mA，所以在可能出现较大输入电流的场合必须采取以下保护措施。

　　;;; 在输入端接有大电容的情况下，若电源电压突然降低或关掉，则电容C上积存的电荷将通过保护二极管VD1放电，形成较大的瞬态电流。串进电阻RP以后，可以限制这个放电电流不超过1mA。RP的阻值可按RP=VDD/1mA计算。此处uc表示输入端外接电容C上的电压（单位V）。;;;;;;;;;;;;;;;;;

　　;;; 因为长线上不可避免地伴生有分布电容和分布电感，所以当输入信号发生突变时只要门电路的输入阻抗与长线的阻抗不相匹配，则必然会在CMOS电路的输入端产生附加的正、负振荡脉冲。因此，需串人RP限流。根据经验，RP的阻值可按RP=VDD/lmA计算。输入端的长线长度大于lOm以后，长度每增加lOm，RP的阻值应增加lkΩ。