在了解超低压差LDO和传统LDO的区别前，我们先简单了解一下PMOS和NMOS的特性差异：NMOS使用的载流子是，而PMOS采用的载流子是空穴，就这导致在相同的工艺尺寸下，NMOS的导通电阻更小，过流能力更强。

　　我们都知道LDO是线性稳压器，其原理就是通过反馈电阻、误差放大器等模块，使内部的MOS管工作在恒流区(即饱和区)，如下图所示，从而使输出电压保持稳定。那么，损耗

　　在手机、AR等便携式中，LDO的封装通常都是非常小的。传统的PMOS管LDO的过流能力通常在300mA以下，且LDO的drop电压通常也在百mV级别，无论是带载能力、效率、热耗，都无法满足我们文章开头提出的技术指标。

　　我们再详细研究一下NMOS管LDO的内部框图，其主要也是由MOS管、分压电阻、参考电压电路、误差放大器构成的一个负反馈回路。仔细观察会发现其比PMOS LDO多一个BIASpin，这是因为NMOS管的导通需要Vgs电压大于0，因此BIAS的电压就需要比Vout电压高，规格书中都会有明确标注。

　　最后总结一下：超低压差LDO(NMOS管构成)相比传统LDO(PMOS管构成)，其输出电流更大，drop电压更小，效率更高(得益于NMOS管的特性)，通常用在对噪声、带载能力都有严格要求的场合。但两者的内部环路模块基本一致，分析方法也相同。

　　大家知道有这样一种特性的LDO就行，的一大能力就是随时随地都能有合适的器件和方案应用到项目中去。

　　差的特性，在200-mA额定电流下压降仅为60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x

　　）调节器工作从+2.70V到+7.0V输入电源。每个输出都提供在整个温度范围内为150毫安。集成电路以极低的跌落电压和静态电流工作非常适合电池供电和便携式

　　降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为200mV左右；与之相比，使用NPN复合电源晶体管的

　　线性稳压器，它通常具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比PSRR(PowerSupplyRejectionRatio)。

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　　在150mv左右。SOT89封装，1脚输出，2脚GND，3脚输入。麻烦大家帮忙鉴定一下型号，或者提供一个替代型号。谢谢

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