还是经验丰富的老工程师，多数情况下还真不能完全正确的把这个器件的原理符号画出来，甚至画的五花八门。

　　但是想想也很简单，因为器件的原理符号在一定程度上代表着其工作原理，只要理解简单原理就很容易画出来，并且不会出现错误，这里我总结了3点，希望对大家有所帮助。

　　1、对于增强型N沟道和P沟道MOSFET：从沟道线（虚线）、电子运动方向箭头，门极电压去理解即可，其中前两项最容易混淆。以下文字描述较多但很简单，图片也已标明了要点。

　　（1）虚线：代表导电沟道，同时也表示在门极不加电压的情况下，导电沟道是断开状态，器件不导通，器件是常闭状态，虚线的含义就是表示断开。

　　（2）向内的箭头：表示了加上栅极电压后沟道中电子运动方向，电子向内被吸引，从而沟道被电子填充形成电子型导电沟道-N沟道。

　　（3）VGS电压：栅极G-源极S施加大于开通阈值的正电压，正电压的电场力吸引电子，排斥空穴，从而让源极S填充电子，形成D-S的电子导电沟道

　　（1）虚线：代表导电沟道，同时也表示在门极不加电压的情况下，导电沟道是断开状态，器件不导通，器件是常闭状态，虚线的含义就是表示断开。

　　（2）向外的箭头：表示了加上栅极电压后沟道中电子运动方向，电子向外被排斥运动，空穴被吸引至沟道，从而沟道被空穴填形成空穴型导电沟道-P沟道。

　　（3）VSG电压：源极S-栅极G施加大于开通阈值的正电压，正电压的电场力吸引空穴，排斥电子，从而让源极S填充空穴，形成S-D的空穴导电沟道

　　2、对于耗尽型沟道的MOSFET，区别在于沟道线是实线，表示在门极不加电压的情况下，导电沟道已经形成，器件是常开状态，实线的含义就是表示闭合。

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