Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚&

　　Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

　　新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，氮化镓

　　Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

　　三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量加利福尼亚

　　Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统

　　使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件，使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻，且拥有更高的性能和效率。加利福尼亚州戈莱塔 － 2023 年 10月 12日 － 新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商Transphorm

　　ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件体积减少99％

　　近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名

　　安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构

　　作者：安森美产品推广工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量

　　Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET），管脚尺寸缩小60％

　　RDS（on）额外降低40％，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用

　　英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET

　　【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推

　　Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET （ASFET），SOA性能翻倍

　　全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件