在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点，一直被视为理想器件而备受期待。不过，与以往的Si材料器件相比，SiC功率器件在性能和成本之间的平衡以及其对高技术的要求，将成为SiC功率器件能否线、碳化硅MOS的结构

　　碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的N+源区和P阱掺杂均采用离子注入掺杂，并在1700°C的温度下进行退火和激活。另一个关键工艺是碳化硅MOS栅氧化层的形成。由于碳化硅材料中同时含有Si和C原子，因此需要一种非常特殊的栅介质生长方法。SiC-MOSFET采用沟槽结构，以最大限度地发挥SiC的特性。

　　硅IGBT通常只能工作在20kHz以下的频率。由于材料的限制，高压和高频硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适用于600V至10kV的宽电压范围，而且具有单极器件的优良开关性能。与硅IGBT相比，当开关电路中没有电流拖尾时，碳化硅MOSFET具有更低的开关损耗和更高的工作频率。

　　一个20kHz的碳化硅MOSFET模块的损耗可以比一个3kHz的硅IGBT模块低一半，一个50A的碳化硅模块可以取代一个150A的硅模块。显示了碳化硅MOSFET在工作频率和效率方面的巨大优势。

　　碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。对于相同额定电流为900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二极管的反向电荷仅为相同电压规格的硅基MOSFET的5%。对于桥式电路(尤其是当LLC转换器工作在谐振频率以上时)，这个指标是非常关键的。可以减小体二极管的死区时间和反向恢复带来的损耗和噪声，便于改进。开关工作频率。

　　碳化硅MOSFET组件在光伏、风电、电动汽车、轨道交通等中、大功率电力系统应用中具有巨大优势。碳化硅器件的高电压、高频率、高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计中器件性能的限制。这是目前国内外电动车电机领域的研发重点。例如，电装和丰田联合开发的混合动力汽车(HEV)和纯电动汽车(EV)中的功率控制单元(PCU)采用碳化硅MOSFET模块，体积比降低到1/5。三菱公司开发的电动汽车电机驱动系统使用SiC MOSFET模块。功率驱动模块集成到电机中，实现了集成化、小型化的目标。以预计，碳化硅MOSFET模块在近几年内将在国内外电动汽车上得到广泛应用。

　　许多工程师也认为，碳化硅MOS的价格是硅MOS的几倍。以100A/1200V(17毫欧内阻)为例，国外各大品牌在2023年初的单价普遍在300元以上。

　　驱动碳化硅MOS管时，由于需要负电压关断，驱动电流比较大，需要一个匹配的驱动电路工作。不过，目前市面上的驱动电路很少，单价也比较高。

　　目前，国内品牌已开始批量生产碳化硅MOS管产品，打破了国外品牌垄断。据估计，随着制造的国产化，碳化硅MOS将大大低于同等电流水平下的硅MOS和IGBT器件。SiC MOSFET价格将继续下跌。

　　国外碳化硅MOS管供应商基本上是接到订单后才安排生产的。此外，近年来电动汽车制造商的订单激增，导致其供货周期普遍较长。

　　然而，国内厂商进入碳化硅MOS管领域后，就彻底打破了这一模式。基本上，我是提前估计需求，自己准备大量的商品。一般情况下，客户一下订单，普通型号就可以提货。

　　目前，国内许多客户使用分立元件构建驱动电路。大家都发现，这种电路不仅性能优良，而且元器件容易采购，成本也很低。

　　SiC MOSFET的发展现状指出，解决方案的主要商业障碍，包括价格，可靠性，耐用性和供应商的多样性。尽管价格高于硅IGBT，SiC MOSFET已经成功，由于成本抵消系统级的好处。着材料成本的下降，这一技术的市场份额在未来几年将显著增加。在过去的两年中，SiC MOSFET似乎终于准备好了广泛的商业成功，并在绿色能源运动中发挥重要作用。

　　关键字：引用地址：碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展上一篇：汽车连接器正确合理选型的注意事项

　　近年来，人们使用的电器产品数量不断增多，致使每个家庭内的总能耗稳步上升，不仅大多数西方国家是这样，新兴国家亦是如此。与这些能耗相关的成本也已经增加，因为燃料资源变得更为紧缺，公用事业公司因此而涨价。 为了将从电网获得的功率提升至最高，并因此使电费账单支出受控及减少碳排放，付出更多努力来为室内环境开发更高能效的电器就至关重要了。 电磁感应加热炉具(以下简称“电磁炉”)使用电磁产生的热能来烹调，其能效比我们熟悉的标准家用电热锅高得多。此外，由于是通过感应而非传导来产生热量 ，其安全性也被证实更高，因为任何部位置于炊具表面都不会被烧伤。 电磁感应加热的原理 图1描绘了电磁感应加热应用使用的典型准谐振反激拓扑结构。电磁能

　　2012年1月24日，日本东京讯——全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组成电源转换电路。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功率半导体产品系列。碳化硅是一种能有效降低损耗的新材料。全新功率器件旨在用于家电（如空调）、PC服务器和太阳能发电系统等电力电子产品。 最近，为了应对环保问题，降低电气设备功耗，提高电气产品效率的需求不断提高。特别是提高电源转换效率，以降低空调、通信

　　功率器件系列 /

　　引言 本应用笔记介绍AM/FM汽车天线的一个参考设计(RD)。设计采用了适用于有源天线模块的高度集成AM/FM低噪声放大器(LNA) MAX2180。LNA在AM和FM信号通路上均集成了Maxim的自动增益控制技术，带有用户可选设置点。AM和FM信号通路的最大增益亦可变，以满足各种各样的用户需求。RD详尽展示了该集成式汽车解决方案的灵活性和性能。 概述 汽车天线要求更小、集成度更高的解决方案，并同时保证现代AM/FM无线通信装置所需的高性能。有些解决方案需要自动增益控制(AGC)，而有些则采用固定增益LNA，以获得最低成本。有些解决方案为有源天线提供一个稳压电源电压，但是大多数仍然采用电池供电。对天线方案提供商的挑战是

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　　开关器件的功率损耗是开关器件评估的重要环节，也是许多示波器选配的高级分析功能。事实上，虽然很多实验室配备了功率损耗程度测量环境，对设备和探头也投入不菲，但是如果忽略了时间偏移，则所有的测试结果都将失去意义。 1.1 开关损耗测量中应考虑哪些问题呢？ 在实际的测量评估中，我们用一个通道测量电压，另一个通道测量电流，然后软件通过相乘得到功率曲线，再通过时间区间的积分得到最终的结果。 这其中要注意的两点： 保证示波器和探头带宽充足，准确获取开关器件在开通和关断过程中的波形； 精确测量相位，保证电压和电流的对应关系。 带宽充足比较好理解，但我们该如何保证电压和电流的对应关系呢？ 1.2 时间偏移对测量结果

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