氧化镓 （Ga2O3） 以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势，有望成为未来领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体 SiC 和 GaN，Ga2O3的 Baliga 品质因数更大、预期生长成本更低，在

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　　是电子元器件中非常常见的两种元件。他们分别具有不同的电学特性和应用。在处理电子方面，两个元件都扮演着重要的角色：

　　相比具有更大的PN结面积，从而实现高达数百安培(KA)的高正向电流能力和高达数百安培的反向阻断电压到几千伏(KV)。

　　具有快速的开关速度和反向恢复时间，能够在高频率下进行快速的开关操作，广泛应用于各种开关电路中。 较低的正向导通电阻：

　　相似的结半导体器件，其产生的电流与光强度成正比。这种器件可以认为是一种内置电流放大器的光电

　　具有承受更高电压和电流的能力，通常被用于电源电路、电机驱动器、逆变器、交流调制、直流稳压等高

　　，但随着周边电路的精密化、应用微细化，被要求使用更高性能的保护元件 — TVS （Transient Voltage Suppressor）。

　　，但随着周边 电路的精密化、应用微细化，被要求使用更高性能的保护元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。