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Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK-【MOSFET】
发布时间:2024-03-01 22:16:30 来源:江南官方体育APP下载 作者:江南app官方网站

  日前发布的器件占位面积与PowerPAK 1212-8S封装相同,导通电阻降低18%,提高了功率密度,同时源极倒装技术将热阻从63C/W降至56C/W。此外,SiSD5300DN优值系数比上代器件低35%,从而降低了导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。

  PowerPAK1212-F源极倒装技术颠倒通常接地焊盘和源极焊盘的位置,扩大接地焊盘面积,提供更有效的散热路径,有助于降低工作温度。同时,PowerPAK 1212-F减小了开关区范围,有助于降低迹线噪声的影响。另外,PowerPAK 1212-F封装源极焊盘尺寸增加了10倍,从0.36mm2提高到4.13 mm2,从而改进热性能。PowerPAK1212-F中央栅极结构还简化了单层PCB基板多器件并联的使用。

  采用源极倒装PowerPAK1212-F封装的SiSD5300DN特别适合二次整流、有源箝位电池管理系统(BMS)、降压和BLDC转换器、OR-ing FET、电机驱动器和负载开关等应用。典型终端产品包括焊接设备和电动工具、服务器、边缘设备、超级计算机、平板电脑、割草机和扫地机以及无线% RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

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