三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。

　　场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。

　　在如果你在某宝里搜索“场效应管”你会发现，搜索出来的基本上是绝缘栅场效应管。       即使搜索“结型场效应管”，出来的也只有几种，你是不是怀疑结型场效应管已经被人类抛弃了的感觉，没错，JFET相对来说是比较少使用的，如果你问百度，百度貌似也无法回答你这个问题。

　　欢迎知道原因的朋友留言分享一下，为什么结型场效应管比较少使用？   下面我们就跳过JFET，来点实际的，还是直接分享绝缘栅场效应管的相关基础知识吧。

　　绝缘栅场效应管中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管，英文简称是MOSFET，一般也简称为MOS管。   MOSFET的输入电阻很高，高达109Ω以上，从导电沟道来分，可以分为N沟道和P沟道两种，无论是N沟道还是P沟道，又可以分为增强型和耗尽型。

　　▲ MOS管种类   MOS管共有3个脚，栅极G，漏极D，源极S，通常情况下，MOS管的衬底是跟S极在管子内部是连接在一起的，而且，MOS管的D极和S极之间一般会有一个寄生二极管，所以，你见到的MOS管的符号通常是画成下面这样的。

　　▲ MOS管符号通常是画成这样的   仔细观察的朋友可以发现，无论是N沟道还是P沟道，寄生二极管的方向总是跟箭头的方向是一致的。   其实在一般使用中，更多是使用N沟道增强型或者P沟道增强型MOS管，耗尽型的管子是比较少使用到的。   那么，如何使用MOS管做电子开关？比如用来驱动LED？   先来两个图。

　　▲ MOS管做电子开关的简单应用   一般认为MOS管导通是不需要电流，只要UGS提供一定的电压就可以导通了。   对于N沟道增强型的MOS管，当UGS大于一定值时就会导通，这里所说的“一定值”是指开启电压UGS(th)，N沟道增强型UGS(th)一般是2~4V之间。

　　对于P沟道增强型的MOS管，当UGS小于一定值时就会导通，P沟道增强型UGS(th)一般是-2~-4V之间。

　　如果UGS达不到相应的电压值，MOS就无法导通，所以说MOS管是电压控制型元件。   可能会有朋友问，电路图中的电阻Rgs有什么作用？是这样的，在MOS管内部结构里，G极与D极、S极实际上是有一层绝缘层二氧化硅进行隔离的，这就相当于存在一个电容器。

　　这些寄生电容是无法避免的，电容的大小由MOS管的结构、材料、所加的电压决定。   如果上面的电路图没有电阻Rgs的，电路将会变成怎样呢，下面以图1为例，做个小实验。

　　没有电阻Rgs时，在G极接上5V控制信号，相当于给寄生电容Cgs进行充电，即使撤去G极上的控制电压，G极上也有电容的电压存在，所以MOS仍然是导通的。

　　当有G、S两极有电阻Rgs时，当G极撤去5V信号，电阻Rgs可以把寄生电容Cgs上的电压进行释放，所以MOS就截止了。   所以，上面电路加入电阻Rgs，可以对电容的电压进行及时的释放，这样有利于提高电路的可靠性，可以避免G极没有控制信号时误动作。   MOS管具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。MOS管相关的知识还有很多，以后再跟大家讨论。

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　　用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从

　　。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型

　　型。每一类型均有两种沟道,N沟道和P沟道，两者的主要区别在于电压的极性和电流的方向不同。MOS

　　开关的脉冲，但实际设计时，电容的选择以及脉冲的构造都出现了问题。无法实现这个功能。下面是电路图。谢谢了

　　，简称MOSFET。以功能类型划分，MOSFET分为增强型和耗尽型两种，其中耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2

　　源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 3、估测

　　si2301（p沟道）栅极D1接单片机引脚，电源接源极（s），输出端漏极（d）接一个DCDC然后接负载。问题是，单片机引脚低电平时，输出端(d)确实为高电压，但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v，并没有完全关断。这是

　　的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型

　　IGFET。这两种管子的区别嘛，就看看大牛们的解释吧，根据参与导电的载流子的种类不同，可以分为

　　的导电机理是，利用UGS 控制感应电荷的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS＝0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS

　　传感器的出现使对目的DNA的测量时间大大缩短，操作简便，无污染，既可定性，又可定量。且灵敏度高、选择性好，显示出诱人的发展前景。本研究以

　　也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体

　　栅极g的电压一定比漏极d的电压小截止时是这个情况，但是饱和时漏极电压几乎为零，此时栅极电压就会比漏极电压高。转载自

　　栅极g的电压一定比漏极d的电压小截止时是这个情况，但是饱和时漏极电压几乎为零，此时栅极电压就会比漏极电压高。转载自

　　栅极g的电压一定比漏极d的电压小截止时是这个情况，但是饱和时漏极电压几乎为零，此时栅极电压就会比漏极电压高。转载自

　　BSS84,电路如下，经常GS间损坏，损坏后两脚间有5K左右的电阻造成微导通D端有电压输出。电路有问题吗？是什么原因。

　　正常工作时，栅极和源极之间的PN结处于反向偏置状态，如果电流太大，就会发生击穿。 使用20N20时关注的主要参数有：1、IDSS—饱和漏源电流。指结型或耗尽型

　　（VMOS）是单极型电压件。具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽等显著特点，还具有电流负温度系数、良好的电流自动调节能力、良好的热稳定性和抗干扰能力等优点。其

　　。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道

　　中，在栅极和源极加上负电压后，达到一定值后，就会出现耗尽，请问这种耗尽是可逆转的么？在撤掉负电压后，还可以再用的吧？

　　种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。电力

　　）造成不良影响,如果栅极悬空会被击穿。因为静电电压很高，一般是几百伏或者几千伏，而管子栅极

　　更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。