BVDSS表示漏源极之间能承受的电压值，这里标注的是最小值650V。VGS(th)表示MOSFET的开启电压，它是负温度系数，随着温度的增加，器件的开启电压逐渐减小，以100℃为例，此时开启电压已经降低到25℃时的0.77倍

　　IGSSF、IGSSR分别表示栅极正向漏电流、反向漏电流，在VGS=±30V时，不超过100nA；

　　注：栅极电荷参数注意测试条件中VGS=0to10V，即规格书中的Qg表示栅极从0V充电到10V所需的电荷量，往往实际使用时不是这个驱动电压。

　　注：trr表示反向恢复过程的时间，Qrr表示反向恢复过程的电荷量，Irrm表示反向恢复过程的电流尖峰

　　静态测试项目包含：BVDSS、VTH、IDSS、IGSSF、IGSSR、RDSON，一般使用功率器件静态测试仪进行测试，每一颗器件出厂前在封装完成之后，都会经过在100%的FT测试中进行静态参数的测试才会交到用户手中。

　　其中BVDSS，我们通过灌电流读电压的方式得到，在栅极VGS=0V时让器件流过ID=250uA，此时器件的两端电压值就是器件的耐压BVDSS。

　　VTH：器件开启的电压，将栅-漏极短接，持续增加VGS当器件流过ID=250uA，此时栅极所施加的电压值为VTH。

　　Qg参数由如上电路测试得到，通过对Ig的积分，得到Qg，在绘制出Qg-VGS曲线，我们可以看到分为三个阶段，把一个向上的阶段定义为Qgs，把米勒平台阶段定义为Qgd，把整个开通阶段定义为Qg。

　　确定电子元器件在高温、高湿度或伴有温度湿度变化条件下工作或储存的适应能力。评估产品在高温、高湿、偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程。

　　静态参数测试条件是不变的，而在实际应用中，测试参数的静态点并不能说明问题。外部环境是实时变化的，此时静态参数只能提供一个参考的数值，这时曲线的参数测试变得更有意义。

　　你好，我在用LTC3807做电源转换的时候，输入24V，输出12V，FREQ PIN引脚按照

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