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AOS推出新款650V与750V SiC MOSF-【MOSFET】
发布时间:2024-01-27 17:53:07 来源:江南官方体育APP下载 作者:江南app官方网站

  盖世汽车讯 据外媒报道,当地时间11月10日,阿尔法和欧米伽半导体公司(Alpha and Omega Semiconductor Limited,AOS)宣布推出行业领先的650V与750V SiC MOSFET新平台,可用于工业与汽车应用。650V SiC MOSFET是太阳能逆变器、电机驱动设备、工业电源以及新能源储能系统等工业应用的理想开关解决方案,而符合AEC-Q101标准的750V SiC MOSFET则可用于车载充电器(OBC)和主牵引逆变器等电动汽车(EV)系统,此类系统对可靠性都有较高的要求。AOS公司是一家设计、研发各种功率半导体、功率集成电路以及数字电源产品的全球供应商。

  新款AOM015V75X2Q 750V αSiC MOSFET在第二代1200V αSiC MOSFET和二极管产品的基础上得到扩展,在标准TO-247-4L封装中,RDS(ON)值低至15mΩ,为业内领先水平。同时,保持了+15V栅极电压,确保与现有的栅极驱动解决方案广泛兼容。由于采用了最小的内部栅极电阻和优化的电池设计,AOS设计的此类设备具有超快的开关速度,且完全可由外部栅极电阻进行控制。与现有的750V SiC MOSFET解决方案相比,其RONx QGD和RONx QRR等标准开关性能指标(FoM)也得到了改进。

  此类新型αSiC MOSFET的突出优势在于平面SiC MOSFET的短路耐受时间(SCWT)性能得到显著提升。对于很多应用,特别是电动汽车逆变器,较长的SCWT可以大大提升系统的坚固性,并为研发人员提供更大的设计灵活性。为了提升SCWT,通常需要显著增加产品的晶片尺寸,这可能会影响整个系统的成本。在AOS的测试中,与尺寸相同的竞品相比,此类新型750V MOSFET保持了类似、甚至更低的RONx A,同时SCWT性能提升了逾40%。

  2、750V αSiC MOSFET符合AEC-Q101标准,适用于各种电动汽车应用,符合PPAP(生产件批准程序);

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