④理论上具有无穷大扇出，单个反相器可以驱动无穷多个门，增加扇出会增加传播延时，动态特性会变差，但不会影响稳态特性；

　　如下图是一个静态CMOS反相器的电路图，由一个上拉的PMOS器件和一个下拉的NMOS器件组成。通过使用MOS管的开关模型，可以将其等效成右边所示的反相器开关模型。

　　当Vin＝VDD时，下拉NMOS器件开始工作，PMOS器件断开，将存储在负载电容CL上的电压放电至0V。当Vin＝0V时，上拉PMOS器件开始工作，NMOS器件断开，向负载电容CL充电至VDD。

　　在大多数情况下，反馈电阻RF是内嵌在振荡器电路内的(至少在ST的MCU中是如此)。它的作用是通过引入反馈使反相器的功能等同于放大器。Vin和Vout之间增加的反馈电阻使放大器在Vout ＝ Vin时产生偏置，迫使反向器工作在线中阴影区)。

　　该放大器放大了晶振的正常工作区域内的在并联谐振区内的噪声(例如晶振的热噪声)(译注：工作在线性区的反向器等同于一 个反向放大器)，从而引发晶振起振。在某些情况下，如果在起振后去掉反馈电阻RF，振荡器仍可以继续正常运转。

　　输出为高电平，这个电路是如何实现振荡原理的？两个电阻的关系是如何确立的，电容在该电路中充当

　　电路如图2.7-1(a) (b)所示它由两个增强型MOS场效应管组成，其中V1为NMOS管，称驱动管，V2为PMOS管，称负载管。

　　的电路设计以及功能仿真，适合入门。还做了版图设计，但是自己对原理不是不清楚，在此就不记录了。virtuoso电路设计环境基本教学一

　　MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或

　　的原理及特点 /

　　设计电路图 /

　　的详细资料说明 /

　　【星嵌电子XQ138F-EVM开发板体验】（原创）8.安全FPGA防御黑客病毒（芯片设计制造级防护）源代码