作者报告了采用CMOS兼容制造工艺制造的15 µm直径的锗硅(GeSi)SPAD，并在室温下对其进行表征，以证明其高性能。作者定义了噪声等效功率(NEP)以对文献中报道的SPAD进行基准测试。结果表明，GeSiSPAD噪声等效功率比之前的基于 Ge的SPAD提高了2-3.5个数量级。此外，所演示的GeSi SPAD的后脉冲特征时间比基于InGaAs的SPAD短得多。GeSiSPAD 通过有效屏蔽低质量 Ge 侧壁的高电场，实现了暗

　　作者展示了晶圆级测试的I-V测量结果，获得了室温下最低的基于Ge的APD或SPAD初级暗电流和最低的DCR。随温度升高每10°C， DCR增加约为2.5倍，表明Ge中能级接近Ge带边缘的缺陷是产生DCR的原因，因此可以通过优化制造工艺进一步最小化 DCR。进一步地，通过后脉冲等更多参数的测量表明所展示的GeSi SPAD的性能可能已经优于之前报道的一些基于 InGaAs的SPAD。

　　作为概念证明，作者演示了将GeSi SPAD用于基于直接TOF技术的LIDAR。 3D扫描和成像是通过用同轴收发器替换可变光学衰减器来完成的，同轴收发器使用x-y振镜来控制发射的激光脉冲并沿着同一光路收集返回的激光脉冲。演示结果证明了基于激光雷达的GeSi SPAD 的直接TOF技术潜力。

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