增大而增大的缺点，扩大输入信号幅度的范围；而且可以在CMOS电路基础上增设辅助电路，消除NMOSFET的衬底效应对R

　　为了消除NMOSFET的衬底调制效应对Ron的不良影响，通常在CMOS开关原理电路基础上增设辅助电路。如图3所示CMOS开关电路中，增加了非门PI2和T3~T5。当vc=“1”时，因非门PI1、PI2倒相，T5截止，vI经T3、T4加到T1衬底B1上，同时，vI又直接加到T1的源极S1上，于是vBS1=0，且与vI大小无关，从而消除了T1的衬底调制效应。T2为PMOSFET，虽然vB2=VDD，但因PMOSFET的衬底调制效应很小，故vBS2随vI变化对Ron的影响可略。