在进行8051单片机应用系统程序设计时，编程都往往少不了要直接操作系统的各个存储器地址空间。

　　C51程序经过编译之后产生的目标代码具有浮动地址，其绝对地址必须经过BL51连接定位后才能确定。

　　为了能够在C51程序中直接对任意指定的存储器地址进行操作，可以采用扩展关键字“at”、指针、预定义以及连接定位控制命令。

　　在这些方法中，本人认为最简单而有效的方法是用“ _at_ ”关键字来对指定变量存储器空间绝对地址来指定。一般格式如下：

　　(1).存储器类型: idata、data、xdata等C51能够识别的所有类型，最好不要省略。

　　通常使用自加、自减指令和复合赋值表达式(如a-=1及a+=1等)都能够生成高质量的程序代码，编译器通常都能够生成inc和dec之类的指令，而使用a=a+1或a=a-1之类的指令，有很多C编译器都会生成二到三个字节的指令。在AVR单片适用的ICCAVR、GCCAVR、IAR等C编译器以上几种书写方式生成的代码是一样的，也能够生成高质量的inc和dec之类的的代码。

　　在程序中一般不进行非常复杂的运算，如浮点数的乘除及开方等，以及一些复杂的数学模型的插补运算，对这些即消耗时间又消费资源的运算，应尽量使用查表的方式，并且将数据表置于程序存储区。如果直接生成所需的表比较困难，也尽量在启了，减少了程序执行过程中重复计算的工作量。

　　需要熟悉算法语言，知道各种算法的优缺点。将比较慢的顺序查找法用较快的二分查找或乱序查找法代替，插入排序或冒泡排序法用快速排序、合并排序或根排序代替，都可以大大提高程序执行的效率选择一种合适的数据结构也很重要，一般来说，指针比较灵活简洁，而数组则比较直观，容易理解。对于大部分的编译器，使用指针比使用数组生成的代码更短，执行效率更高。但是在Keil中则相反，使用数组比使用的指针生成的代码更短

　　能够使用字符型(char)定义的变量，就不要使用整型(int)变量来定义;能够使用整型变量定义的变量就不要用长整型(long int)，能不使用浮点型(float)变量就不要使用浮点型变量。当然，在定义变量后不要超过变量的作用范围，如果超过变量的范围赋值，C编译器并不报错，但程序运行结果却错了，而且这样的错误很难发现。

　　说明：位操作只需一个指令周期即可完成，而大部分的C编译器的%运算均是调用子程序来完成，代码长、执行速度慢。通常，只要求是求2n方的余数，均可使用位操作的方法来代替。

　　说明：在有内置硬件乘法器的单片机中(如51系列)，乘法运算比求平方运算快得多，因为浮点数的求平方是通过调用子程序来实现的，在自带硬件乘法器的AVR 单片机中，如ATMega163中，乘法运算只需2个时钟周期就可以完成。既使是在没有内置硬件乘法器的AVR单片机中，乘法运算的子程序比平方运算的子程序代码短，执行速度快。

　　说明：通常如果需要乘以或除以2n,都可以用移位的方法代替。在ICCAVR中，如果乘以2n,都可以生成左移的代码，而乘以的整数或除以任何数，均调用乘除法子程序。用移位的方法得到代码比调用乘除法子程序生成的代码效率高。实际上，只要是乘以或除以一个整数，均可以用移位的方法得到结果，如：a=a*9可以改为：a=(a《3)+a

　　对于一些不需要循环变量参加运算的任务可以把它们放到循环外面，这里的任务包括表达式、函数的调用、指针运算、数组访问等，应该将没有必要执行多次的操作全部集合在一起，放到一个init的初始化程序中进行。

　　两个函数的延时效果相似，但几乎所有的C编译对后一种函数生成的代码均比前一种代码少1~3个字节，因为几乎所有的MCU均有为0转移的指令，采用后一种方式能够生成这类指令。在使用while循环时也一样，使用自减指令控制循环会比使用自加指令控制循环生成的代码更少1~3个字母。但是在循环中有通过循环变量i读写数组的指令时，使用预减循环时有可能使数组超界，要引起注意。

　　检测与控制系统处理大量数据和多路信息时，只用一片单片机往往无法满足系统实时性和扩展性要求，且处理时间较长。例如在液面信息采集过程中，单片机要在相等的时间间隔进行A／D转换以及数据处理。由于要实现高通量的液体操作，液体操作平台通常配置多根移液针同时进行液体操作工作，采集多路液面信息。因此这里提出一种基于双单片机的信号处理系统设计方案，该系统采用单片机(AT89S51)作为核心器件，2片AT89S51型单片机作为双核心分担整个检测单元的任务。 1 系统硬件电路设计 该信号处理系统的总体设计方案为：单片机1定时进行A／D转换，并且将转换结果存入外部数据存储器：单片机2读取数据存储器中的转换结果并且通过串口传递给计算机，同时还

　　全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布，推出其增强型中档内核8位PIC®单片机（MCU）系列的最新产品——外设丰富、低引脚数的PIC12F(LF)1840和PIC16F(LF)1847。全新器件分别配备7 KB和14 KB片上闪存，高达1 K的RAM，是8和18引脚封装产品中存储容量最高的PIC® MCU。“LF”型号采用超低功耗（XLP）技术，工作电流小于40 µA/MHz，休眠电流低至20 nA。凭借丰富的外设和功能——包括mTouch™容性触摸传感和多种通信外设，这些通用MCU非常适合于家电（如咖啡壶、搅拌机和洗碗机）、消费类

　　电磁脉冲辐照效应实验方法 电磁脉冲对电予系统的辐照效应实验方法，简单地说就是将被测电子系统置于电磁脉冲辐射场中，接受电磁脉冲的照射，研究被测系统在电磁脉冲照射下受干扰、损伤的情况。 实验配置如图1所示。主要由吉赫横电磁波传输室(GTEM Cell)、Marx发生器、控制台和被试系统等组成。Marx发生器用于产生高电压，与GTEM室配合，在GTEM室内产生均匀电磁场。控制台主要由示波器、光接收机和Marx控制面板组成。光接收机和电场传感器组成模拟量光纤场测量系统，主要用于将辐射电磁场转换成电压信号;示波器用来显示电场波形;Marx控制面板用来控制Marx发生器的充放电操作和陡化间隙的调整。 故障重现原理

　　系统的故障重现设计与实现 /

　　某宝上买的TM1638模块测试程序 根据数据手册搞出来的 骑远飞TM1638 按键数码管模块 电路原理图如下： 单片机源程序如下: #ifndef _TM1638_H #define _TM1638_H #include REGX51.H #define DATA_COMMAND 0X40 #define DISP_COMMAND 0x80 #define ADDR_COMMAND 0XC0 //TM1638模块引脚定义 sbit DIO=P1^0; sbit CLK=P1^1; sbit STB=P1^2; //共阴数码管显示代码

　　当我们使用8位MCU编程，用到求平方根算法时，如果调用自带的子程序，那么生产的代码较多，效率低下。因为软件自带算法是用浮点数类型来计算的，现实中我们往往只需要返回整型数据，采用以下代码求平方根将会大大提高计算效率。 static unsigned long sqrt(unsigned long x) { register unsigned long xr; // result register register unsigned long q2; // scan-bit register register unsigned char f; // flag (one bit) xr = 0; //

　　如何提高单片机抗干扰让你少走弯路 搞过产品的朋友都有体会，一个设计看似简单，硬件设计和代码编写很快就搞定，但在调试过程中却或多或少的意外，这些都是抗干扰能力不够的体现。 下面讨论一下如何让你的设计避免走弯路： 抗干扰体现在2个方面，一是硬件设计上，二是软件编写上。 这里重点提醒：在MCU设计中主要抗干扰设计是在硬件上，软件为辅。因为MCU的计算能力有限，所以要在硬件上花大工夫。 看看干扰的途径： 1：干扰信号干扰MCU的主要路径是通过I/O口，一是影响了MCU的数据采集，二是影响内部寄存器。 解决方法：后面讨论。 2：电源干扰：MCU虽然适应电压较宽(3-5。5V)，但对于电源的波动却很敏感，比如说MCU可以在3V电压下稳定工

　　这是DS1602+DS1302完整程序，其中P1口接独立键盘。 DS1602部分： # include SYSTEM.H //#ifndef __LCD1602_8_H__ //#define __LCD1602_8_H__ //LCD接口定义 sfr io = 0x80; //P0-0x80,P1-0x90,P2-0xA0,P3-0xB0; sbit rs = P2^6; //LCD数据/命令选择端(H/L) sbit rw = P2^5; //LCD读/写选择端(H/L) sbit ep = P2^7; //LCD使能控制 sbit bz = io^7;

　　1、单片机内部资源 STC89C52：8KFLASH、512字节RAM、32个IO口、3个定时器、1个UART、8个中断源 （1）Flash（硬盘）——程序存储空间 —— 擦写10万次，断电数据不丢失，读写速度慢 （2）RAM（内存）——数据存储空间 —— 断电数据丢失，读写速度快，无限次使用 （3）SFR —— 特殊功能寄存器 2、单片机最小系统 最小系统：最少组件组成单片机可以工作的系统。 三要素： （1）、 电源电路：5V （2）、 晶振电路：11.0592MHZ、两个30PF （3）、 复位电路： P0：开漏输出，必须加上拉电阻 准双向口： 强推挽输出：电流驱动能力强 高阻态 上下拉电阻：上拉电路就是

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