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江南官方体育app.基于MOS管的双电源自动切换电路设计
浏览次数:6次 发布日期:2024-02-16 13:57:24 来源:江南官方体育APP下载 作者:江南app官方网站

  当VUSB进行供电时(5V),PMOS的G端:为5V,此时PMOS不导通,电压经过二极管D1直接到达VCC。如下图:

  当VUSB断开后,PMOS的G端的电压(5V)由电阻R1下拉到GND,此时PMOS导通,VCC由VBAT(为锂电池)供电。如下图:

  在这里加以说明:在MOS管还未导通之前,S端的电压比G端的要高,因此MOS管会导通,导通以后MOS管的寄生二极管会短路,并不再起作用。

  我们来看下面这个电路,相较于前面的电路,它利用了MOS管的低导通RDS(on)特性,提高了电路的效率。

  当VIN1(主电源)为3.3V时,Q1的NMOS导通,接着拉低了Q3 PMOS的栅极, Q3 开始导通。

  此时Q2 MOS的G-S之间的电压等于Q3 PMOS的导通压降,大概为几十mV。因此Q2 MOS管关闭,VIN2(外部电源)断开,VOUT由VIN1进行供电,此时VOUT=3.3V。

  讲到这里我们可以看到,当电路由VIN2(外部电源)供电时,静态功耗“消失了”直接为0。整个电路几乎不存在压降,除非电流很大。

  不过,也有网友反应,这个电路在主电源下降过程中,可能会存在一些问题:Q3未完全关断而Q2就开始导通,外电源通过Q2、Q3形成通路,阻止了主电源的降低。

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