当VUSB进行供电时（5V），PMOS的G端：为5V，此时PMOS不导通，电压经过二极管D1直接到达VCC。如下图：

　　当VUSB断开后，PMOS的G端的电压（5V）由电阻R1下拉到GND，此时PMOS导通，VCC由VBAT（为锂电池）供电。如下图：

　　在这里加以说明：在MOS管还未导通之前，S端的电压比G端的要高，因此MOS管会导通，导通以后MOS管的寄生二极管会短路，并不再起作用。

　　我们来看下面这个电路，相较于前面的电路，它利用了MOS管的低导通RDS（on）特性，提高了电路的效率。

　　当VIN1（主电源）为3.3V时，Q1的NMOS导通，接着拉低了Q3 PMOS的栅极， Q3 开始导通。

　　此时Q2 MOS的G-S之间的电压等于Q3 PMOS的导通压降，大概为几十mV。因此Q2 MOS管关闭，VIN2（外部电源）断开，VOUT由VIN1进行供电，此时VOUT=3.3V。

　　讲到这里我们可以看到，当电路由VIN2（外部电源）供电时，静态功耗“消失了”直接为0。整个电路几乎不存在压降，除非电流很大。

　　不过，也有网友反应，这个电路在主电源下降过程中，可能会存在一些问题：Q3未完全关断而Q2就开始导通，外电源通过Q2、Q3形成通路，阻止了主电源的降低。

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