的英文缩写，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。

　　导电沟道是N型半导体，开通电压VTH ＞0V。当栅-源电压VGS =0V时，其导电沟道尚未形成，器件处于关断状态；当外加栅-源电压VGS>

　　VTH时，其导电沟道因反型而形成，器件处于开通状态。由于在栅-源电压零偏时，器件处于关断状态，增强型器件又称为“常关”（Normally Off）器件。

　　导电沟道是N型半导体，关断电压VGS (OFF) ＜0V。当栅-源电压VGS =0V时，其导电沟道就已经存在，器件处于导通状态；当外加栅-源电压VGS ＜VGS(OFF) 时，其导电沟道因耗尽而消失，器件处于关断状态。由于在栅-源电压零偏时，器件处于导通状态，耗尽型器件又称为“常开”（Normally On）器件。

　　导电沟道是P型半导体，开通电压VTH ＜0V。当栅-源电压VGS =0V时，其导电沟道尚未形成，器件处于关断状态；当外加栅-源电压VGS ＜VTH时，其导电沟道因反型而形成，器件处于开通状态。

　　导电沟道是P型半导体，关断电压VGS(OFF) ＞0V。当栅-源电压VGS =0V时，其导电沟道就已经存在，器件处于导通状态；当外加栅-源电压VGS ＞VGS(OFF) 时，其导电沟道因耗尽而消失，器件处于关断状态。

　　）floatatansp_c(float a)（3） atansp_i（4） atansp_v这

　　在于，USART支持同步通信，该模式有一根时钟线提供时钟。串口在嵌入式中经常使用，一般使用UAR

　　模式：无PG的V/F模式，有PG的V/F模式，无PG的矢量控制模式，有PG的矢量模式。 PG 是指旋转编码器。这

　　无法执行并且颜色编码指示“…………测试脚本中的错误”？我能够成功执行 DDR 验证阶段和其他

　　（1）保护原理不同保护接地是限制设备漏电后的对地电压，使之不超过安全范围。在高压系统中，保护接地除限制对地

　　void无返回值 IHttpActionResult HttpResponseMessage 自定义