NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。

　　产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽

　　和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。

　　碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低

　　碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低

　　）配置的NMOS晶体管，但具有从输出到输入的反馈。它被用作功率级，因为负载的功率很高。如何用运算放大器代替

　　接触面时会直接重组。重组过程在欧姆接触处迅速发生，并因金属的存在而进一步加剧。因此，有效的边界条件可表述如下： 考虑到N

　　产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高

　　，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。

　　深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片，其中包括

　　芯片和器件尺寸也日益微小，越来越微细，因此对于分析微纳芯片结构的精度要求也越来越高，在芯片

　　产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动汽车主驱用大功率

　　器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V

　　电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-

　　正式发布首款基于Cortex®-M0+内核的CW32A030C8T7车规级MCU，这是武汉芯

　　18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。

　　，其驱动电路设计应考虑驱动电平与驱动电流的要求，死区时间设定的要求，芯片所带的保护功能以及抗干扰性等。 氮化镓晶体管与硅管相似，也是

　　下尖峰高达600多伏。 我调整了一下RCD电路，比如增大原来的470pf电容到1.88nf，继续增大尖峰就不再下降了，电阻从150k

　　旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，这使其成为高效电源管理

　　DigiKey Daily  短视频 本期DigiKeyDaily 向大家推荐两款产品—— ODU MEDI-SNAP 连接器和安森美

　　CW32F030系列单片机在电弧焊机中的应用。 CW32F030系列MCU在电焊机的应用框图 方案特色： ●可实现对电焊机的自动化控制，可以通过输入

　　环境传感器 （气压、湿度、紫外线传感器）成功集成到Linux/Android 操作系统提供指南。

　　的车规集成热切换的理想二极管，适合汽车功能性安全应用。   这款理想二极管驱动一个外部

　　NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。产品型号：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ

　　的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。

　　硅基GaN HEMT的商业化量产，并于近日与泰克科技（Tektronix Inc.）合作进行了器件测试。

　　材料，相较于硅（Si），具有更大的介电击穿强度、更快的饱和电子漂移速度和更高的热导率。这使得碳化硅在功率

　　市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC

　　管，设计用于工作温度 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子

　　市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC

　　器件，具有噪声小、功耗低、开关速度快、不存在二次击穿问题，主要具有信号放大、电子开关、功率控制等功能，广泛应用

　　SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。

　　IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯

　　制造商罗姆（总部位于日本京都市） 在开发SiC（碳化硅） 功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域

　　IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左）   赛米控丹佛斯

　　场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)这是

　　瞬变，它拥有比普通二极管更大PN结面积和更大的通流能力，当电路承受一个高能量的瞬时过压脉冲时。

　　管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电