10月11日芯动科技披露，其基于中芯国际（SH:688981/HK:00981）FinFET N+1工艺的芯片成功流片。N+1工艺是中芯在14nm基础上开发的新一代工艺，对标台积电7nm技术，与14nm相比，N+1工艺性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%。

　　按这个进度推测，中芯预计明年规模量产N+1工艺，数字芯片先进工艺将再进一步，与台积电差距有望缩短至4-5年。

　　近两年来，众所周知的原因下，市场对半导体关注度与日俱增。近期第三代半导体传言将被写入“十四五”规划，也旋即成为市场的焦点。有人会问，三代半导体能替代硅吗，国家要发展三代半导体是不是不用发展硅片了，中国能否在三代半导体上实现弯道超车？

　　半导体产业建立在半导体材料基础上，目前共发展了三代。第一代，硅、锗；第二代，砷化镓、磷化铟等；第三代，氮化镓、碳化硅、金刚石等。

　　至今，硅片仍然占据了全球95%以上半导体器件市场，99%以上的集成电路市场，这种格局暂不会因为第三代半导体渗透率提升而显著改变。

　　2018年，LED照明产品在新装灯具中的渗透率已经超过70%，这也导致LED芯片需求量增速放缓。

　　三代半导体的产业化，经历从蓝光LED到GaN射频芯片，再到SiC、GaN电力电子芯片的路径。我国产业发展路径与国际一致，但相对日本、美国起步较晚。从专利申请趋势看，我国是从2008年以后，三代半导体专利申请明显增加。

　　在我国三代半导体专利中，高校和科研单位的专利申请占比分别为36%、12%，合计58%，大于企业的47%申请份额。其中仅4.9%（510/10568）的专利转移给了企业。

　　在中、日、美三国申请前十的申请人中，日本、美国基本都是企业，而我国有包括第一、第二的6家申请人都是高校或科研单位。

　　我国前20新兴应用企业的专利合计小于1600件，不及日本排名第一的住友电工（2106件），也小于美国第一的Cree（1631件）。

　　Cree（Wolfspeed），主要生产LED芯片、SiC功率器件及GaN射频器件等。在SiC功率器件市场，拥有全球最大的份额；在GaN射频市场，全球第二。（语言过于简略，适当扩充）

　　我国已实现4英寸导电和半绝缘衬底已经实现产业化，6英寸导电衬底小批量供货，已经研制出8英寸衬底。外延片方面，SiC同质外延已实现4-6英寸商业化。

　　GaN衬底。我国已实现2-3英寸衬底小批量产业化，4英寸可提供样品，综合指标达到国际先进水平。

　　GaN异质外延片。用于电力电子的Si基GaN外延方面，我国已实现6英寸产业化，8英寸样品也已研发成功，实现晶圆级无裂纹10微米硅基GaN薄膜。用于微波射频器件的SiC基GaN外延方面，已实现4英寸，并逐步向6英寸发展。

　　SiC器件。SiC SBD覆盖了600V-3300V的电压范围，商业化的SiC SBD目前最高耐压6.5kV，工作电流25A，实现批量供货。SiC MOSFET方面，多款用于新能源汽车电机驱动的1200V大功率器件及模块产品已上市，全SiC功率模块最高规格为1200V/600A。车用SiC电机、车用自主1200V SiC芯片及模块、车用高温大电流SiC MOSFET双面银芯片等技术取得重要突破。

　　GaN电力电子器件。商业化的Si基GaN HEMT最高电压为650V，工作电流35A商业化的Si基GaN HEMT最高电压为650V，工作电流35A。

　　以华为为代表的企业调整供应链，开始扶持国内企业，三安集成、山东天岳、天科合达、泰科天润等国内三代半导体企业获得了下游用户的产品验证机会，逐步走上以销促产的“良性循环”之路。