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11月6日,英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布,将新增在华投资,扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩产后,将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。英飞凌将以更丰富的IGBT产品线,满足快速增长的可再生能源、新能源汽车等领域的应用需求。 进博会现场,英飞凌工作人员介绍道:“功率半导体主要应用于电力设备的电能变换和电路控制,比如说强电转为弱电,弱电转为强电。这是因为强电功率更大但不安全,因此在实际使用的时候才转化为弱电。反之,太阳能电池板发电后,电力需要向电网输送,就需要通过逆变器将弱电转换为强电。”据其介绍,国内两大逆变器厂商阳光电源、华为均大量使用英飞凌的功率半导体。 MOS管(即MOSFET),和IGBT管是目前主流的两种功率半导体。对于两者的区别,上述工作人员补充道:“IGBT主要控制大功率(电力设备),MOS管用于控制低功率(电力设备)。” 英飞凌科技首席运营官Jochen Hanebeck表示:“中国在英飞凌的全球业务中占有重要的战略地位。无锡工厂的升级扩能,不仅能进一步提升我们在中国的产能,而且还将帮助英飞凌巩固其在全球IGBT业务发展中的领导地位。” 英飞凌科技大中华区首席财务官魏惟士在现场接受《每日经济新闻》记者采访时还表示:“我们非常高兴地看到中国推出新的政策、新的框架。我们觉得这是非常好的,英飞凌将根据中国发展的大框架制定公司战略。” 如需转载请与《每日经济新闻》报社联系。未经《每日经济新闻》报社授权,严禁转载或镜像,违者必究。 特别提醒:如果我们使用了您的图片,请作者与本站联系索取稿酬。如您不希望作品出现在本站,可联系我们要求撤下您的作品。 江南官方体育app 上一篇:捷捷微电部分MOSFET产品也可 下一篇:国产替代蓄势待发一文看懂中国功率 |