项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100

　　功率器件是指用于调节电流和电压以及直接控制电能转换的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和工业自动化控制系统。研究机构数据显示，2022年全球功率IC市场规模达到315亿美元，同比增长3.4%。而中国功率IC市场规模约为140亿美元，同比增长4.5%，占全球市场的44.4%，继续保持全球第一的地位。2023年全球功率器件市场规模预计将达到333亿美元，同比增长5%。其中，中国功率器件市场规模预计将达到144亿美元，同比增长7.5%，占全球市场的43.2%。

　　在该领域内，芯一代已成为国产化芯片半导体技术领域的领先企业之一，并且在专精特新赛道上成功突围。

　　芯一代成立于2017年，是国家高新技术企业，工信部专精特新“小巨人”企业，主营业务为功率器件和模拟IC的研发及销售。产品应用领域包括工业控制、消费电子、汽车电子、新能源等。

　　芯一代推出了最新一代G3+超结MOSFET，可应用于消费级、工业级和车规级。该系列产品采用先进的超结工艺平台，在技术开发中，实现了耐压、导通电阻、开关损耗、雪崩耐量等参数的优化，同时采用了先进的封装技术，充分发挥超结器件的优势，提高功率密度。。在各种功率电子应用场景中得到广泛的应用。相关亮点特性如下：

　　（1）在终端设计上，设计一种带P-埋层及电容复合结构层的新型终端结构，同时结合电容复合场限环结构进一步承担电压，可以实现在较小的终端面积的情况下达到较高的耐压。

　　（2）在元胞结构设计上，设计一种P柱与P型基区分离的结构，与传统的超结结构相比，栅电荷（QG）和栅漏电荷（QGD）分别下降了43.7％和66.8％，关断时间（TOFF）减少了60％。

　　（3）在封装上，使用一种新型clip键合封装结构，用于解决现有技术中器件在封装键合时采用引线键合散热性能差、导通电阻高、散热效果差和封装体积控制困难的问题。使用新型键合封装结构，产品热阻由0.8℃/W降低至0.5℃/W，电流由30A提升到100A。能充分发挥超结器件的优势，提高功率密度。

　　芯一代超结系列MOSFET已在国内众多知名厂家的产品上批量应用，出货量已超千万颗，销售额超亿元。

　　在研发实力上，芯一代设有企业技术中心，为芯片设计封装配备了完整的软硬件条件。目前已申请各类知识产权107项，其中拥有发明专利授权4项，实用新型专利授权63项，布图授权18项，曾获得重庆科技进步二等奖、新能源汽车技术（先进电驱动）创新拉力赛一等奖等荣誉。基于资本对其未来的看好，芯一代已完成B轮融资。

　　展望未来，芯一代将继续秉承“自强不息，用芯创造”的理念，持续不断布局半导体功率器件更先进的技术领域，不断巩固和提高技术研发水平和技术创新能力，朝着更高的目标迈进！

　　2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

　　SiFive 宣布推出全新高性能 RISC-V 数据中心处理器，适用于高强度的 AI 工作负载