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作为发起单位,大科城对本次核心技术攻关“揭榜挂帅”项目予以单个项目最高300万元的资金补助,同时在项目实施、科研攻关、产业落地等方面进行全程跟踪帮扶,提供政策支持。 项目实施一年多来,针对本课题难点——碳化硅(SiC)MOSFET芯片研究部分,湖南大学国家电能变换与控制工程技术研究中心教授王俊、副研究员梁世维等科研人员在研发过程中,打破了国外专利壁垒,发明了“场板型栅SiC MOSFET”。泰科天润则突破了高质量栅氧、表面钝化、高温变能多次离子注入等工艺难点,在成熟的6英寸碳化硅生产线完成了新型SiC MOSFET工程样品的研制工作,泰科天润的工程团队展现了深厚的碳化硅工艺能力,批次流片的一致性和稳定性得到了各专家的一致认可,为量产打下坚实的基础。 “经电学特性测试后,相应数据与国际SiC龙头企业美国科锐公司同类芯片产品的导通电阻相当。”王俊介绍,由于引入了场板分离型的栅结构,芯片具有更低的反向传输电容,高频优值接近国外先进水平,较之传统平面栅结构器件指标数值明显改善。 在实测中,研究人员还发现本批次芯片开关性能有所提升,关断损耗较国外龙头企业同类产品低17%,将有效提升电能变换效率。以新能源汽车行业为例,这一领先优势将帮助提升电动汽车的续航里程。 泰科天润项目经理俞伟告诉记者,此次项目整体进度领先预期时效,研发课题组将继续深化合作,持续优化提升SiC 器件性能,提高制备工艺的稳定性,争取尽快实现相关产品的稳定量产和产业化应用,进一步提升湖南在第三代半导体产业领域的影响力,助力长沙打造全球功率半导体研发中心城市。 文章出处:【微信号:DT-Semiconductor,微信公众号:DT半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。 作为新一代功率半导体器件的核心材料,正逐步成为市场的新宠。近日,半导体制造领域的佼佼者Wolfspeed公司宣布,其 具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点,越来越广泛应用于新能源汽车、工业、交通、医疗等领域。在桥式电路中, 使用米勒钳位功能的必要性分析 / 的应用对比分析 / (SiC)作为一种新型的半导体材料,以其优异的物理和化学性能,在功率电子器件领域展现出巨大的应用潜力。 设计:创新引领电子技术的未来 / 功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 的应用及性能优势 / 尖峰的抑制 / 产品介绍 / 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的 设计及发展趋势 / 如果在不清楚适配器的是否支持QC3.0的情况下,尝试切换至QC3.0协议,该如何判断是否成功切换至QC3.0协议? 江南官方体育app 上一篇:MOSFET特性、种类与制造过程 下一篇:MOSFET驱动电路设计及应用 |