作为发起单位，大科城对本次核心技术攻关“揭榜挂帅”项目予以单个项目最高300万元的资金补助，同时在项目实施、科研攻关、产业落地等方面进行全程跟踪帮扶，提供政策支持。

　　项目实施一年多来，针对本课题难点——碳化硅（SiC）MOSFET芯片研究部分，湖南大学国家电能变换与控制工程技术研究中心教授王俊、副研究员梁世维等科研人员在研发过程中，打破了国外专利壁垒，发明了“场板型栅SiC MOSFET”。泰科天润则突破了高质量栅氧、表面钝化、高温变能多次离子注入等工艺难点，在成熟的6英寸碳化硅生产线完成了新型SiC MOSFET工程样品的研制工作，泰科天润的工程团队展现了深厚的碳化硅工艺能力，批次流片的一致性和稳定性得到了各专家的一致认可，为量产打下坚实的基础。

　　“经电学特性测试后，相应数据与国际SiC龙头企业美国科锐公司同类芯片产品的导通电阻相当。”王俊介绍，由于引入了场板分离型的栅结构，芯片具有更低的反向传输电容，高频优值接近国外先进水平，较之传统平面栅结构器件指标数值明显改善。

　　在实测中，研究人员还发现本批次芯片开关性能有所提升，关断损耗较国外龙头企业同类产品低17%，将有效提升电能变换效率。以新能源汽车行业为例，这一领先优势将帮助提升电动汽车的续航里程。

　　泰科天润项目经理俞伟告诉记者，此次项目整体进度领先预期时效，研发课题组将继续深化合作，持续优化提升SiC 器件性能，提高制备工艺的稳定性，争取尽快实现相关产品的稳定量产和产业化应用，进一步提升湖南在第三代半导体产业领域的影响力，助力长沙打造全球功率半导体研发中心城市。

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　　作为新一代功率半导体器件的核心材料，正逐步成为市场的新宠。近日，半导体制造领域的佼佼者Wolfspeed公司宣布，其

　　具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来越广泛应用于新能源汽车、工业、交通、医疗等领域。在桥式电路中，

　　使用米勒钳位功能的必要性分析 /

　　的应用对比分析 /

　　（SiC）作为一种新型的半导体材料，以其优异的物理和化学性能，在功率电子器件领域展现出巨大的应用潜力。

　　设计：创新引领电子技术的未来 /

　　功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。

　　的应用及性能优势 /

　　尖峰的抑制 /

　　产品介绍 /

　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的

　　设计及发展趋势 /

　　如果在不清楚适配器的是否支持QC3.0的情况下，尝试切换至QC3.0协议，该如何判断是否成功切换至QC3.0协议？