NDS331N是N沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管，专有的高单元密度DMOS技术生产的。这种非常高密度的工艺特别适合将导通电阻降至最低。

　　NDS331N设备特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，在这些电路中，在非常小的外形表面安装封装中需要快速切换和低线内功率损耗。

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　　•行业标准大纲SOT−23表面安装封装，使用专有SUPERSOT−3设计，具有卓越的散热性能

　　NDS331N是一款高性能的双N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。它是TrenchFET系列的一员，专为高效能和低电阻而设计，适用于多种功率管理和开关应用。其主要特点和特性包括：

　　在选择和应用NDS331N时，需要根据具体的电路设计和要求，结合德州仪器提供的官方数据手册和应用指南，了解其详细的规格和性能参数。此外，注意在使用MOSFET时遵循适当的电路设计和散热措施，确保安全和可靠的运行。返回搜狐，查看更多