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NDS331N是N沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管,专有的高单元密度DMOS技术生产的。这种非常高密度的工艺特别适合将导通电阻降至最低。 NDS331N设备特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用,在这些电路中,在非常小的外形表面安装封装中需要快速切换和低线内功率损耗。 如果需要采购原装NDS331N器件,或者查看更多PDF文档内容,可以搜索“IC先生”联系我们。 •行业标准大纲SOT−23表面安装封装,使用专有SUPERSOT−3设计,具有卓越的散热性能 NDS331N是一款高性能的双N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。它是TrenchFET系列的一员,专为高效能和低电阻而设计,适用于多种功率管理和开关应用。其主要特点和特性包括: 在选择和应用NDS331N时,需要根据具体的电路设计和要求,结合德州仪器提供的官方数据手册和应用指南,了解其详细的规格和性能参数。此外,注意在使用MOSFET时遵循适当的电路设计和散热措施,确保安全和可靠的运行。返回搜狐,查看更多 江南官方体育app 上一篇:深度剖析MOSFET的构造工作原 下一篇:中国科学院:SiC MOSFET |