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相对于同等耐压的 SJ-MOSFET(超级结 MOSFET),导通电阻较小,可减少相同导通电阻的 与其详细研究 SiC-MOSFET 每个参数,我们可以先弄清楚驱动方法等与 Si-MOSFET 有怎样的区别。这里主要介绍 SiC-MOSFET 的驱动与 Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。 SiC-MOSFET 与 Si-MOSFET 相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压 Vgs 越高导通电阻越低的特性。下图表示 SiC-MOSFET 的导通电阻与 Vgs 的关系。 导通电阻从 Vgs 为 20V 左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的 IGBT 和 Si-MOSFET 的驱动电压为 Vgs=10~15V,而 SiC-MOSFET 建议在 Vgs=18V 前后驱动,以充分获得低导通电阻。也就是说,两者的区别之一是驱动电压要比 Si-MOSFET 高。与 Si-MOSFET 进行替换时,还需要探讨栅极驱动器电路。 SiC-MOSFET 元件本身(芯片)的内部栅极电阻 Rg 依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸。如果是相同设计,则与芯片尺寸成反比,芯片越小栅极电阻越高。同等能力下,SiC-MOSFET 的芯片尺寸比 Si元器件的小,因此栅极电容小,但内部栅极电阻增大。例如,1200V 80mΩ产品(S2301 为裸芯片产品)的内部栅极电阻约为 6.3Ω。 这不仅局限于 SiC-MOSFET,MOSFET 的开关时间依赖于外置栅极电阻和上面介绍的内部栅极电阻合在一起的综合栅极电阻值。SiC-MOSFET 的内部栅极电阻比 Si-MOSFET 大,因此要想实现高速开关,需要使外置栅极电阻尽量小,小到几 Ω 左右。 但是,外置栅极电阻还承担着对抗施加于栅极的浪涌的任务,因此必须注意与浪涌保护之间的良好平衡。 Vd-Id 特性是晶体管最基本的特性之一。下面是 25℃ 和 150℃ 时的 Vd-Id 特性。 请看 25℃ 时的特性图表。SiC 及 Si MOSFET 的 Id 相对 Vd(Vds)呈线性增加,但由于 IGBT 有上升电压,因此在低电流范围 MOSFET 元器件的 Vds 更低(对于 IGBT 来说是集电极电流、集电极-发射极间电压)。 不言而喻,Vd-Id 特性也是导通电阻特性。根据欧姆定律,相对 Id,Vd 越低导通电阻越小,特性曲线的斜率越陡,导通电阻越低。 IGBT 的低 Vd(或低 Id )范围(在本例中是 Vd 到 1V 左右的范围),在IGBT中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题,但当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时,低功率范围的效率并不高。 此外,可以看到,与150℃ 时的 Si MOSFET 特性相比,SiC、Si-MOSFET 的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是,SiC-MOSFET 在 25℃ 时的变动很小,在 25℃ 环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时 SiC MOSFET 的导通电阻变化较小。 前面多次提到过,SiC 功率元器件的开关特性优异,可处理大功率并高速开关。在此具体就与 IGBT 开关损耗特性的区别进行说明。 众所周知,当 IGBT 的开关 OFF 时,会流过元器件结构引起的尾(tail)电流,因此开关损耗增加是 IGBT 的基本特性。 比较开关 OFF 时的波形可以看到,SiC-MOSFET 原理上不流过尾电流,因此相应的开关损耗非常小。在此例中,SiC-MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)的组合与 IGBT+FRD(快速恢复二极管)的关断损耗 Eoff 相比,降低了 88%。 还有重要的一点是 IGBT 的尾电流随温度升高而增加。顺便提一下,SiC-MOSFET 的高速驱动需要适当调整外置的栅极电阻 Rg。 IGBT 在开关导通时,流过Ic(蓝色曲线)用红色虚线圈起来部分的电流。这多半是二极管的恢复电流带来的,是开关导通时的一大损耗。请记住:在并联使用 SiC-SBC 时,加上恢复特性的快速性,MOSFET 开关导通时的损耗减少;FRD 成对时的开关导通损耗与 IGBT 的尾电流一样随温度升高而增加。 声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。举报投诉 的检测端子为其提供全面保护的先进方法。所提供的测试结果包括了可调整过流和短路检测以及软关断和有源钳位(可在关断时主动降低过压尖峰)等功能。 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。 功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较,进一步加深对 相比,具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变化”等优势。基于这些优势,当 `请问:图片中的红色白色蓝色模块是什么东西?芯片屏蔽罩吗?为什么加这个东西?抗干扰或散热吗?这是个 具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻,非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是,在实际应用中,工程师需要考虑 的隔离型准谐振转换器的设计案例”。在本文中,继此前提到的“反激式”和“正激式”之后,将介绍使用了“准谐振方式”电源IC的隔离型AC #***d#sct30n120以上来自于谷歌翻译以下为原文 Hi everyone, I am planning to use ③项目开展,按时间计划实施,④项目调试,优化,比较,分享。预计成果分享项目的开展,实施,结果过程,展示项目结果 管组成上下桥臂电路,整个评估板提供了一个半桥电路,可以支持Buck,Boost和半桥开关电路的拓扑。 是48*0.35 = 16.8V,负载我们设为0.9Ω的阻值,通过下图来看实际的输入和输出情况:图4 输入和输出通过电子负载示数,输出电流达到了17A。下面使用示波器测试 的直流微网双向DC-DC变换器试用计划:申请理由本人在电力电子领域(数字电源)有五年多的开发经验,熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我 -mos有两种封装形式的,SCT3040KR,主要参数如下:SCT3040KL,主要参数如下:后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路,然后给散热器增加散热片。` 各两片,分别是TO-247-4L的SCT3040KR,TO-247-3L的SCT3040KL,这两款都是罗姆推出的 项目名称:特种电源开发试用计划:在I项目开发中,有一个关键电源,需要在有限空间,实现高压、大电流脉冲输出。对开关器件的开关特性和导通电阻都有严格要求。随着 元器有三个最重要的特性:第一个高压特性,比硅更好一些;而是高频特性;三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型 。标准电压源驱动器也在另一块板上实现,见图3。图3.带电压源驱动器(顶部)和电流源驱动器(底部)的半桥 的 6.6kW 双向电动汽车车载充电器。介绍随着世界转向更清洁的燃料替代品,电动汽车运输领域正在经历快速增长。此外,配备足够电池容量的电动汽车可用于支持 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。 功率元器件半导体有如下优势,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较,进一步加深对 的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用 相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。 的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用 功率元器件的开发与发展日新月异,如果有不明之处或希望确认现在的产品情况,请点击这里联系我们。 导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。 上一篇文章对设计中使用的电源IC进行了介绍。本文将介绍设计案例的电路。准谐振方式:上一篇文章提到,电源IC使用的是 截至上一篇文章,结束了部件选型相关的内容,本文将对此前介绍过的PCB电路板布局示例进行总结。使用 的隔离型准谐振转换器的设计案例”,本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个是功率开关中使用了 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。 功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较,进一步加深对 中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题,但当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时,低功率范围的效率并不高。 的结构上讲,体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于 的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用 江南官方体育app 上一篇:SiC MOSFET实现高频大功 下一篇:汽车智能化时代 国产芯片加速“上 |