【哔哥哔特导读】随着光伏储能技术的崛起，SiC器件已成为微型逆变器性能提升的关键。看SiC器件如何为光伏储能带来性的改变！

　　在当今能源转型的大背景下，微型逆变器技术以其高效、可靠和灵活的特性，逐渐成为分布式能源系统的重要组成部分。而SiC器件作为一种具有优异性能的半导体材料，其在微型逆变器中的应用正日益受到业界的关注。

　　SiC器件以其高温稳定性、高开关频率和低损耗等特性，在微型逆变器中展现出巨大的应用潜力。其优异的性能不仅可以提高逆变器的转换效率，降低系统成本，还可以增强系统的可靠性和安全性，为分布式能源系统的高效运行提供有力保障。

　　如何提升系统性能的同时，又能降低成本？如何提高产品的可靠性和耐用性？未来分布式能源系统中的发展前景会是如何？此次对话将围绕“SiC器件在微型逆变器中的应用”这一主题，结合SiC器件在微型逆变器设计中的关键技术和应用案例一一探讨。

　　随着可再生能源的迅猛发展，特别是太阳能光伏发电的普及，微型逆变器以其小巧的体积、高安全性和灵活性，在分布式光伏领域尤其是户用及小型工商业光伏场景中备受青睐，其市场规模正在不断扩大。现阶段，由于应用场景对成本的敏感性较高，成为了限制SiC在光伏储能微型逆变器中广泛普及和高渗透率的主要障碍。业界普遍期待随着供应链的成熟、制造工艺的优化以及市场需求的进一步拉动，SiC器件的价格能够逐步下降至更具竞争力的水平，从而加速其在光伏储能微型逆变器市场中的渗透与应用。

　　近年来，在双碳战略的背景下，全球各国家和地区密集出台多项关于光伏储能行业的支持政策，为行业高质量发展创造了良好的政策环境。据ARENA调研，2023年，全球光伏新增装机容量约345.5GW，其中，中国光伏新增装机容量为216.88GW，同比增长148.1%。SiC器件性能优越，带隙宽度大约是硅的3倍，其导热率为硅的3.3 倍，具有高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升光伏逆变器的功率密度，提高电能转换效率，降低损耗，减少重量和体积，具有广阔的应用前景。目前SiC SBD在光伏储能逆变器中已广泛使用，SiC MOS当前渗透率约不到10%(数据来源Yole)，但也在逐年快速提升。

　　凭借我们完整的SiC产品供应链和领先市场的效率，安森美(onsemi)提供多款高性能SiC产品，包括650V和1200V的SiC MOSFET和SiC二极管，混合SiC模块和全SiC模块配合最新的F5BP封装产品, 用于300kW+组串式逆变器, 215kW储能PCS，这些产品有助于提高系统功率密度与转换效率，从而降低整体系统成本。其中，1200V M3S EliteSiC MOSFET系列产品，具有领先业界的超低开关损耗Eon/Eoff值，可实现高频开关，低反向恢复损耗，结到外壳的热阻低，坚固可靠的技术符合AEC-Q101标准，可承受175°C的温度，特别适用于光储充中Boost升压硬开关拓扑;650V EliteSiC MOSFET NTH4L015N065SC1和NTBL045N065SC是取代储能系统应用中硅基开关的理想选择；EliteSiC功率集成模块采用1200V NXH40B120MNQ0双升压和NXH010P120MNF1 2件装半桥，可以在公用事业规模系统中提供更高的功率密度；1700V EliteSiC MOSFET NTH4L028N170M1能够提供高功率工业应用所需的更高击穿电压(BV)的SiC方案，两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管(NDSH25170A、NDSH10170A)让设计人员能够实现在高温高压下稳定运行，同时由SiC赋能高能效的设计。

　　SiC器件与光伏逆变器的迭代方向高度契合，光伏逆变器正朝着高转换效率、高功率密度、低能量损耗，系统体积缩小的方向发展，而SiC功率器件具备高频、高温、高压等优势。采用SiC方案的光伏逆变器，整机系统效率可提升1%-2%左右，能量损耗降低50%以上，体积和重量减少40%-60%左右，可大幅降低系统度电成本及安装维护成本。现阶段SiC MOS 方案逐步应用于DC-DC(含MPPT)，可明显提升性能，以及采用硅基IGBT+SiC SBD 混合方案，以SiC SBD 替换FRD来降低恢复损耗、提高电源效率。士兰微通过发挥IDM一体化优势，基于士兰化合物半导体生产线V SiC芯片性能指标已达到国际领先水平，并同时研发650V、1700V、2000V等电压段高性能SiC MOSFET芯片，及包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、B10、B15、D4等多种封装形式，适配光伏储能逆变器应用场合。

　　SiC器件在光伏储能应用中的使用对提升效率和性能有着显著的帮助。具体来说，SiC器件的集成度更高，这使得功率可以做得更大，电流也能达到更高的水平。这种高集成度、大功率和高电流的特性使得SiC器件在光伏储能系统中能够发挥重要作用，提高系统的整体效率和性能。因此，可以说SiC器件在光伏储能应用中的帮助是相当大的。

　　3、尽管SiC具有许多优点，但其制造成本相对于传统材料可能较高。在降低SiC器件成本和其可靠性、耐用性方面是如何综合考量的?是否有典型的技术创新案例?

　　安森美是少数能够提供从衬底到模块的端到端SiC解决方案的厂商之一，这种垂直整合能力使公司能够更好地控制产品质量、降低成本，并确保供应链的稳定。通过对SiC晶圆生长、外延、器件设计、制造以及封装测试等环节的全程掌控，安森美能够优化各阶段的工艺流程，减少中间环节成本，实现规模化生产效益。例如随着市场对SiC器件的需求不断增长，安森美加大了投资力度，扩建了在韩国的SiC生产线。同时，安森美还计划进一步扩大其在全球的研发和制造能力，以满足日益增长的SiC市场需求。

　　此外，安森美采取了多项措施来确保SiC产品具有高质量和高可靠性，包括通过外延生长前后的缺陷扫描、严格的工艺控制、对所有的芯片执行100%雪崩测试、实施产品级老化测试来消除外部栅极氧化物故障，来确保制造质量和可靠性。

　　尽管多年以来，大到行业巨头小到新晋厂商都在不断加大力度推进 SiC器件成本的降低，但受限于材料、设计、制造工艺、设备等多方面因素，SiC器件的价格现在仍然普遍处于 Si器件价格 3 倍左右的高位。士兰通过不断对SiC器件设计和生产工艺进行优化，提高产品性能和良率，从而降低器件的成本；同时也优化整合供应链，在保证产品性能和质量的前提下积极选用国产化原材料，来推动器件成本优化。

　　4、产业链下游的整机企业对上游的行业企业有哪些建议或期望?在合作中尽量满足哪些需求，可以使双方能够共同推动微型逆变器市场发展?

　　5、在产业链上下游合作方面，如何与下游整机企业开展合作?如何看待整机企业当前重视的SiC器件质量保证问题?

　　安森美通过多种方式与下游整机企业实现广泛合作，包括与整机企业共同开展技术研发项目，针对特定应用需求定制化设计SiC器件或模块，确保产品性能、规格与整机系统高度匹配；为整机企业提供专业的SiC器件选型指导、系统级设计方案咨询等技术支持服务，帮助整机企业优化系统设计，充分发挥SiC器件的性能优势，降低系统总成本;与整机企业签订长期供应协议，确保稳定、及时的SiC器件供应，避免市场供需波动对整机企业生产计划的影响等……

　　整机企业当前重视的SiC器件质量保证问题，实际上是出于多方面的综合考虑，例如SiC器件作为提升整机产品性能、能效和竞争力的关键组件，整机企业对SiC器件质量的高度重视，反映了其对产品质量控制和品牌声誉的战略关切。其次，SiC器件的高工作电压、高开关频率、高热导率等特点，对器件的制造工艺、封装技术、材料选择以及系统集成提出了极高要求，整机企业关注SiC器件的质量，实质上是对这些技术细节的严格把关，确保器件在长期、严苛工况下的稳定性和可靠性。再次，高质量的SiC器件能够降低整机产品的故障率和维护成本，延长产品使用寿命，从而为整机企业带来长期的经济效益，与具备质量保证能力的供应商建立稳定合作关系，有助于整机企业规避供应链风险，确保供应链的连续性和灵活性。

　　SiC器件的生产制造具有很多挑战，相较于硅基器件，它需要开发新的高温制造工艺，这些工艺会对器件的可靠性造成影响，通常会引发栅氧可靠性、阈值电压漂移、体二极管退化以及dv/dt、di/dt失效问题。因此，SiC器件可靠性测试非常关键和重要。士兰微电子依靠二十多年来的发展，已具备完善的可靠性测试能力和失效分析能力。士兰检验检测中心承担士兰微电子研发测试和产品质量监测责任，旨在验证和确认产品的可靠性、准确性和合规性。中心的检测精度和广度已达到国内乃至国际顶尖水平。检验检测中心可以进行多种环境试验项目，包括高温工作寿命试验、低温工作寿命试验、高温反向偏压试验、高温栅极偏压试验、温度循环试验、加速湿度-无偏高压试验、高加速温湿度应力测试(HAST)试验、加速耐湿性无偏HAST试验、稳态温湿度偏置寿命试验、高低温湿热存储寿命试验、高温储存寿命试验、低温储存寿命试验、间歇工作寿命试验、功率循环试验等，这些试验项目可以对产品在不同环境下的性能进行测试，以评估产品的可靠性和适应性。

　　目前储能光伏逆变器的发展越来越偏向于智能化，注重客户的应用体验和感觉。产品正在优化各种服务方面，如支持Wi-Fi、通信、APP、网站和云平台等，以提高实时通信速度、抗干扰能力和数据传输稳定性。许多产品都在努力提升客户的体验感。关于未来的市场空间和趋势，目前国内市场主要集中在大型、集中式的储能需。