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的流动方向与晶圆衬底之间的方向。在横向型MOSFET的晶胞结构中,电流的流动方向是与晶圆衬底的横截面方向保持平行的,因此称之为横向型MOSFET。下图中的红线方向就是示意的在横向型MOSFET中电流的流动方向。 Source,源极,绿色的区域。Drain,漏极,的区域。Gate,栅极蓝色的区域。三个都是在芯片的上表面,金属的电极片,用于导电和加压。 灰色区域是反型层和导电沟道的区域。当我们给栅极和源极施加一个正向电压的时候,栅极于下面与衬底区域的接触面,由原来的耗尽层逐渐发生变化,排斥空穴,吸引电子,参杂的电子聚集在该区域,形成了多子导电区域,也就是反型层,能够导通电流。如下图所示,加压前与加压后的变化。 当我们在漏极加一个电压源和负载的时候,就会有电流从漏极,穿过N+区域,然后再经过反型层的沟道,再经过源极形成回路。整个MOSFET就处于导通状态。如下图所示。 垂直型MOSFET,又称为垂直导电型MOSFET,其结构如下图所示。对比横向型的定义和结构可以看到,垂直型的意思是指电流的流动方向与晶圆衬底横截面方向相互垂直。对应图中的电流(红线)是从底面的漏极垂直向上,依次经过了漏极、衬底、N Drift、导电沟道、N+区域到达源极。 Source:源极,上表面第一层绿色区域。Gate,栅极,蓝色的区域。Drain,漏极,最下层灰色区域,晶圆衬底背面。 沟道区域,是和源极和栅极相关,两者通过 P base区域连接在一起。通过在源极和栅极之间施加电压,就能够形成沟道区域,沟道区域在栅极下方一个比较窄的区域,如下图所示。图中的区域就是加压后形成的反型层,导通电流。 在漏极和源极之间施加电压的时候,整个电场会施加落在N Drift区域(N型的漂移区)。可以通过调整N Drift区域的掺杂浓度和厚度来实现。掺杂浓度提高,厚度就可以做薄一点,就可以承受较高的电压;掺杂浓度降低,就需要把漂移区域的厚度做厚一点才能承受较高电压。(所以为什么会听到有的硅片材料用的是轻掺还是重掺的说法)。如果用SiC材料来做漂移区就会有更好的优势,SiC的临界击穿电场的强度Ec,是硅的10倍左右。简单做个比较,同样的电压等级,用SiC材料来做可能只需要硅材料的1/10厚就能够实现,器件晶胞尺寸大大减小。同时,因为厚度非常薄,电阻量就可以做到非常低(电流流过的路径降低,电阻降低)。所以SiC的MOSFET在电压上面比硅材料有天然的优势。 另外整个垂直结构中N Drift区域中可以全是导通电流,电流的密度非常高,可以不用做的太小,充分利用到面积的优势,提高电流、电压等级,如下图所示。 声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。举报投诉 本帖最后由 mtss 于 2015-11-11 09:50 编辑 论坛的大神们好,我现在需要设计一款4MHz的E 驱动器的主要用途之一是进行不同类型电机的驱动控制。此应用笔记对一些基本概念进行讨论以帮助用户选择适合应用的 大家好! 本人正在使用AD8495对热电偶温度进行检测。 由于项目要求能够检测电路能够在K、J、E的热电偶中通用,并且考虑到目前一级代理E络盟不再继续采购AD8496(针对J 数据的运算时,从Expression串口中观察到的数据只有7位有效数字,计算误差也比较大,是double 液晶模块。它是由若干个5x7或者5x11的点阵字符位组成,每个点阵字符位都可以用显示一个字符,每位 本帖最后由 wukaiguang 于 2015-9-24 16:52 编辑 Labview 条件结构分支选择器布尔 TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]该TDM31066采用先进的沟槽技术[td=331]RDS(ON) TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS(ON)18.2mΩ@ VGS = 4.5V TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS(ON)和低门电荷。[td=331]◆RDS(ON) ` 本帖最后由 WAITXHURT 于 2012-12-27 11:34 编辑 可不可以在那种 变压器铁芯截面为方型的结构型式,采用了由一根由窄到宽,由宽到窄均匀过渡的优质硅钢带连续卷绕而成,铁芯无切割,截面近似圆形的结构形式。 ,其也已经赋值成功了,但是输出结果是请问是为什么?难道UARTprintf这个函数不能输出float 我在练习自定义自动测试序列实例中发现:事件结构“确定”或者“取消”框图中,案例中取消按钮在框图中与输出 立体声ADA电路TLC320AD75C的模拟与数字音频数据接术、DAC的串行控制接术及该类器件有什么注意事项? :三极管是一种很常用的控制和驱动器件,常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种,原理相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管应用较少。三极管有 2 种类型,分别是 PNP 本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑 如题,因为要对电池进行管理,对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电,所以用两个N沟道增强 描述:TDM3412采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 这个器件适合用作负载开关或PWM应用。一般描述:频道1RDS(ON) FDS9945管来试验他的性能,结果发现光耦PC817 IN2脚不管是高电平还是低电平,N DC/DC转换器*1)“BD70522GUL”。“BD70522GUL”是旨在实现IoT领域的关键词“纽扣电池10年驱动”开发而成的超低功耗电源IC。在ROHM的 即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)有三个管脚,分别为 这是我设计的一个单片机驱动光耦控制电机转停的电路,大家看下电路设计对吗?单片机在光耦驱动位拉高引脚,输出24V,fds9958是P 衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的 大家好! 本人正在使用AD8495对热电偶温度进行检测。 由于项目要求能够检测电路能够在K、J、E的热电偶中通用,并且考虑到目前一级代理E络盟不再继续采购AD8496(针对J 使用AD9901 进行鉴相,输入方波信号的幅值有一定的要求吗?是不是一定是5V,或者3V以上都可以,它具体的TTL 历经千辛万苦终于把mpu9250的DMP输出的姿态角传到上位机并正确显示了 但现在的问题是DMP输出的是十字 ,由于周围环境的狭小和阻挡,天线覆盖受到很大限制,而漏泄电缆由于非常接近覆盖对象且信号辐射方向 本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 编辑 高手进来看看这个电路图是不是画错了MOS管 图上画的是耗尽 江南官方体育app 上一篇:谈谈MOSFET的小信号特性在模 下一篇:电力MOSFET输出特性曲线分为 |