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Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出,以及其他600 V E系列器件的发布,Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正(PFC)和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电(HID)灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动,以及电池充电器。 SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装,外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm,占位面积比D2PAK封装减小50.8 %,高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却,因此具有出色的热性能,结壳(漏极)热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下,额定电流比D2PAK封装高46 %,从而显著提高功率密度。此外,封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。 SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术,10 V下典型导通电阻仅为0.074 Ω,超低栅极电荷下降到42 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC,达到业内先进水平,这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗,从而实现节能并提高2 kW以上电源系统的效率。日前发布的MOSFET有效输出电容Co(er) 和Co(tr)典型值分别仅为79 pF和499 pF,有助于改善硬开关拓扑结构开关性能,如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文(Kelvin)连接,以提高开关效率。 器件符合RoHS标准,无卤素,耐受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试。 SiHR080N60E现可提供样品并已实现量产,如想了解供货周期的相关信息,请与当地销售部联系。 本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。 东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,有助于汽车设备实现高散热和小型化 英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容 英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列,改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性 东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求 英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOS 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,树立技术新标准 江南官方体育app 上一篇:功率半导体涨价潮又来! 下一篇:这27个电源符号别再分不清!快收 |