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MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标,也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。 通常来说,MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数,单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系,因此对于超低压MOSFET选取单位面积导通电阻值和漏极击穿电压作为比较指标。 单位面积导通电阻(Ronsp),主要用于衡量功率器件导通状态下,单位面积的电阻值,数值越低表示单位面积功耗越低,电流密度越高; 漏极击穿电压(BVDSS),是器件漏极所能承受的最高电压,该数值越高越好,但是提高漏极击穿电压会导致单位面积导通电阻增加; 优值系数(Ron*Qg),导通电阻Ron决定了导通状态下的静态损耗,栅极电荷Qg决定了开关损耗,通常用Ron与Qg的乘积来表征MOSFET器件的性能水品,该值越低代表技术水品越高。 江南官方体育app 上一篇:用TPL250如何驱动buck电 下一篇:AMEYA360:MOS管失效的 |