![]() |
+ 低压差线性稳压器 |
+ 白光LED驱动 |
+ MOSFET |
+ 32位ARM核Cortex系列 |
+ CMOS逻辑电路 |
(1) 图形符号。耗尽型 MOS 管也有 N 沟道和 P 沟道之分,其图形符号如图 1-22 所示。 (2) 结构与原理。 P 沟道和 N 沟道耗尽型场效应管的工作原理基本相同,下面以 N 沟道耗尽型 MOS 管(简 结构与原理。P沟道和N沟道耗尽型场效应管的工作原理基本相同,下面以N沟道耗尽型MOS管(简称耗尽型NMOS管)为例进行说明。耗尽型NMOS管的结构与等效图形符号如图1-23所示。 耗尽型NMOS管是以P型硅片作为基片(又称衬底),在基片上再制作两个含很多杂质的N型材料,再在上面制作一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在两个N型材料上引出两个铝电极,分别称为漏极(D)和源极(S),在两极中间的SiO2绝缘层上制作一层铝制导电层,从该导电层上引出的电极称为G极。 与增强型NMOS管不同的是,在耗尽型NMOS管内的SiO2层中掺入大量的杂质,其中含有大量的正电荷,它将衬底中大量的电子吸引靠近SiO2层,从而在两个N区之间出现导电沟道。 当NMOS管D、S极之间加上电源E1时,由于D、S极所接的两个N区之间有导电沟道存在,所以有ID电流流过沟道;如果再在G、S极之间加上电源E2,E2的正极接S极,它还与下面的P衬底相连,E2的负极则与G极的铝层相连,会对铝层充得负电荷,铝层负电荷电场穿过SiO2层,排斥SiO2层下方的电子,从而使导电沟道变窄,流过导电沟道的ID电流减小。 如果改变E2电压的大小.与G极相通的铝层产生的电场大小会发生变化,SiO2层下面的电子数量就会变化,两个N区之间的沟道宽度就会变化,流过的ID电流大小就会变化。例如E2电压增大,G极负电压更低,沟道就会变窄,ID电流就会减小。 耗尽型MOS管具有的特点是:在G、S极之间未加电压(即UGS=0V)时,D、S极之间就有沟道存在,ID不为0A;当G、S极之间加上负电压UGS时,如果UGS电压变化,沟道宽窄会发生变化,ID电流就会变化。 江南官方体育app 上一篇:电气符号大全- -全不全看了才知 下一篇:基于NPN和PNP三极管的蜂鸣器 |