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TPHR8504PL,L1Q是一种MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)型号,它是40 Volt N-沟道MOSFET,由N型沟道和P型衬底构成,而P-沟道MOSFET则由P型沟道和N型衬底构成。 TPHR8504PL,L1Q N-沟道MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来控制沟道的导电性。当栅极电压高于阈值电压时,沟道打开,导电性增强,允许电流从源极流向漏极。反之,当栅极电压低于阈值电压时,沟道关闭,导电性降低,电流无法通过。 如果需要采购原装TPHR8504PL,L1Q器件,或者查看更多PDF文档,可以随时联系我们。 众所周知,N-沟道MOSFET具有许多优点,包括低输入电阻、高开关速度、低驱动功率和较低的导通压降。所以,TPHR8504PL,L1Q被广泛应用于电子设备中的功率开关、放大器、逻辑门和各种集成电路中。返回搜狐,查看更多 江南官方体育app 上一篇:「实战」一个Buck电路设计的完 下一篇:如何看懂MOS管的每一个参数 |