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CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”,即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上,制作CMOS。CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。CMOS工艺已成为当前大规模集成电路的主流工艺技术,绝大部分集成电路都是用CMOS工艺制造的。 CMOS中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管,NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的,而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的,要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上,就需要在硅衬底上制作一块反型区域,该区域被称为“阱”。根据阱的不同,CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优,从而获得广泛的应用。 SLD 的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和 所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、 及高压BCD设计规则; 4、能读懂Command file文件; 5、具有良好的沟通能力和团队合作精神。欢迎朋友自 及高压BCD设计规则; 4、能读懂Command file文件; 5、具有良好的沟通能力和团队合作精神。欢迎朋友自 及高压BCD设计规则; 4、能读懂Command file文件; 5、具有良好的沟通能力和团队合作精神。欢迎朋友自 及高压BCD设计规则; 4、能读懂Command file文件; 5、具有良好的沟通能力和团队合作精神。欢迎朋友自 该如何去设计?怎样去验证一种基于Cadence virtuoso与Mentor Calibre的 中I/O电路设计 / 设计的详细中文资料概述主要内容是:布线寄生电容,电容类型及其容值变化,电容寄生效应,各种电容比较,电容匹配布局 江南官方体育app 上一篇:零基础入门硬件工程师快速学习指南 下一篇:multisim15-Multi |