在逻辑电平转换期间，电流短暂地流过两个晶体管。本文探讨了由此产生的功耗，并为测量电流和功率提供了一些有用的

　　在本系列的第一篇文章中，我们研究了CMOS反相器的动态和静态功耗。在随后的文章中，我们使用LTspice模拟来进一步了解电容充电和放电引起的功耗。作为讨论的一部分，我们创建了如图1所示的LTspice反相器电路。

　　我们将在本文中继续使用上述原理图，研究“短路”或“击穿”电流。这两个术语指的是在输出过渡期内流经图1中NMOS和PMOS晶体管的电流。

　　短路电流是可能的，因为随着输入电压——控制两个晶体管的栅极电压——的变化，反相器通过一个电区域，在该电区域中NMOS沟道和PMOS沟道都是导电的。

　　我们只想测量由于击穿而从VDD流到地的电流。这意味着我们必须排除在转换期间对负载电容器C1充电和放电的电流。

　　在图2中，我们放大了逆变器电路的中心部分。低至高输出转变的探针位置由NMOS晶体管（M1）的漏极处的绿点示出。

　　通过探测图2中绿点标记的线段，我们测量了充电电流转向电容器后流过两个晶体管的电流。仿线所示。

　　仿真旨在为分析CMOS逆变器中的动态功耗提供一个工具包。本着这种精神，在我们结束之前，我想再介绍一个LTspice功能。虽然它不会帮助我们找到任何关于短路功率的其他信息，但它与更广泛的动态功耗主题完全相关。