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CMOS:互补金属氧化物半导体,是一种使用n型和p型MOSFETs(场效应晶体管)来实现逻辑功能的工艺。 pMOSFET:由p型源极和漏极区,嵌入在n型井(well)中,而这个n型井可以建在p型衬底上。 采用p型晶圆时,可以直接在p型衬底上创建n型MOSFET,而不需要额外的工艺步骤。对于pMOSFET,可以在p型衬底上创建一个n型井,然后再在n型井中创建p型源极和漏极。这种方法工艺较为成熟,并且步骤相对简单。 p型衬底的本征噪声较低:在p型材料中,主要载流子是空穴,而空穴的迁移率低于电子,这有助于降低漏电流和本征噪声。 良好的衬底隔离:p型衬底在制造过程中提供了良好的隔离特性,可以有效地隔离不同器件之间的干扰。 在p型衬底上,制造n型井和p型井(用于nMOS和pMOS)相对简单,且在制造过程中通过标准的扩散或离子注入工艺可以容易地实现。 大多数CMOS制造工艺在历史上是基于p型衬底发展的,具有广泛的工艺基础和设备兼容性。p型衬底的制造成本相对较低,且供应链稳定。 p型衬底在高温处理过程中表现出较好的稳定性,这对于复杂的CMOS工艺中的热处理步骤是非常重要的。 小结一下:采用p型晶圆作为CMOS工艺的基础,主要是由于其在制造工艺简化、电气特性优化、成本控制、以及历史发展等多个方面的优势。 江南官方体育app 上一篇:CMOS反相器的功耗 下一篇:CMOS反相器开关功耗的仿真 |