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电压)。了解这两大危害,用户便可以有效应对。 静电 由静电荷积累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的,因为栅极受片内齐纳 然而,在插人插座时,CMOS器件与插座之间可能存在大量静电荷。如果插人插座的第一个引脚恰巧没有连接齐纳二极管保护电路,栅极上的电荷会穿过氧化层释放而损坏器件。 以下四步有助于防止器件在系统装配阶段受损: SCR闩锁 在使用模拟CMOS电路时,最安全的做法是确保没有超过电源电压的模拟或数字电压施加到器件上,并且电源电压在额定范围内。尽管如此,实施承受过压保护也是有必要的。如果理解了问题的机制,保护措施在大多数情况下都会是行之有效的。 图1是一个典型CMOS输出开关单元的电路图及截面图。从不同单元和区域之间的连接关系中,我们可以画出一个等效二极管电路图(图2)。如果在S端或D端的模拟输人电压超过电源电压。 图2:等效二极管电路图 由不同二极管结产生的寄生晶体管就会处于正向偏置模式。这些寄生的NPN和PNP晶体管形成如图3所示的SCR(可控硅整流器)电路。 图3. CMOS开关中的寄生晶体管益沦应 过压能引起过大的电流和金属化问题。通常,运算放大器的输出作为S端或D端的电压源,因此电流不能大于运算放大器直流输出电流的限值。然而,瞬态感应电流仍有可能破坏CMOS器件;因此,有必要进行保护。 图4举例说明了通过在电源供电引脚串联二极管(比如1N459)防止寄生晶体管导通的方法。如果S端或D端电压高于电源电压时,CR1和/或CR2反向偏置,基极驱动电路不能使晶体管导通。每个CMOS器件都应该有一对独立的二极管对其进行保护。尽管这个方法很有效,但它不是万无一失的。如果开关的一端连接到一个负电位(例如一个充电电容),并且另一端电压超过VDD,则尽管有保护二极管。 图4:电路保护方案 在Q2的一个发射极的雪崩二极管足够提供基极驱动使Q2导通。对于这种情况,必须要有一个与电容串联的限流电源或者电阻。 如果在S端或D端有瞬时过压,那么由电压源供电的端口处的串联电阻的建议值为300至400Ω(图4b)。 虽然一直知道,电感的作用,但是具体到那些参数是比较重要的?如何理解这些参数?求解。{:1:} 保护器件其保护原理各有不同,选择的时候应结合其保护原理、工作条件和使用环境来考虑。本文介绍常用的 计算机硬件的安全维护措施有哪些科技论文浏览:1次摘 要: 论文摘要:对于硬盘而言,维护它的安全只要尽量避免较大的震动即可。现阶段,我们所使用的硬盘多是机械硬盘,内部结构精密且复杂,一旦发生 Linux设备林林总总,嵌入式开发一个绕不开的话题就是设备驱动开发,在做具体设备驱动开发之前,有必要对Linux设驱动模型有一个相对清晰的 Linux设驱动模型 / 的不同,最终导致了他们在实践区块链的方式和方法。虽然最近一段时间以来,数字货币的价格不断上涨,但是,依然有人在区块链的道路上执著前行。纵然是在区块链这条道路上,我们依然看到了 电感镇流器?其实关于电感镇流器的知识,小编之前跟大家说过许多。今天小编就把之前所说过的电感镇流器知识为大家全新梳理一遍,帮助各位更好的理解电感镇流器。 当开关闭合电路中施加 、TTL电平信号,只需要一根线输出就好了,优点是走线方便,但缺点也很明显,就是抗干扰能力差,不适合高速信号(100MHZ以上)。 差分一般是LVDS、LVPECL等信号,需要两根线输出。优点是抗干扰能力强,缺点是布线 磁珠的性能参数? 磁珠是一种常见的电路元件,广泛应用于滤波器、隔离器和开关电源等电路设计中。为了 具有汽车级NCV3064评估板SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB型数据手册 江南官方体育app 上一篇:CMOS器件的输入信号上升时间为 下一篇:辐射对元器件的作用机理 |